Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBI35M
  • В избранное
  • В сравнение
GBI35M

GBI35M

GBI35M
;
GBI35M

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBI35M
  • Описание:
    1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35AВсе характеристики

Минимальная цена GBI35M при покупке от 1 шт 443.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBI35M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBI35M

GBI35M DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35A

  • Основные параметры:
    • Мощность: 35A (35 ампер)
    • Напряжение: 1000В
    • Форм-фактор: 30x20x3.6 мм
    • Тип: однофазная мостовая диодная решетка
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию диодов Diotec Semiconductor
    • Компактный размер для экономии места
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Мощная токосъемность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Необходимо соблюдать требования к теплоотводу из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих преобразования или регулирования напряжения
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, блоках управления
    • Подходит для устройств, где важны высокие технические характеристики
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Блоки управления
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBI35M

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBI
  • Исполнение корпуса
    GBI

Техническая документация

 GBI35M.pdf
pdf. 0 kb
  • 924 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    443 ₽
  • 10
    309 ₽
  • 25
    255 ₽
  • 100
    196 ₽
  • 500
    184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBI35M
  • Описание:
    1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35AВсе характеристики

Минимальная цена GBI35M при покупке от 1 шт 443.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBI35M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBI35M

GBI35M DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35A

  • Основные параметры:
    • Мощность: 35A (35 ампер)
    • Напряжение: 1000В
    • Форм-фактор: 30x20x3.6 мм
    • Тип: однофазная мостовая диодная решетка
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию диодов Diotec Semiconductor
    • Компактный размер для экономии места
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Мощная токосъемность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Необходимо соблюдать требования к теплоотводу из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих преобразования или регулирования напряжения
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, блоках управления
    • Подходит для устройств, где важны высокие технические характеристики
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Блоки управления
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBI35M

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBI
  • Исполнение корпуса
    GBI

Техническая документация

 GBI35M.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBU12K1PH BRIDGE GBU 800V 12A
    381Кешбэк 57 баллов
    B380C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 3.7A
    383Кешбэк 57 баллов
    GBI25W1PH BRIDGE 30X20X3.6 1600V 25A
    407Кешбэк 61 балл
    GBI35J1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 35A
    413Кешбэк 61 балл
    B80C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 160V 3.7A
    416Кешбэк 62 балла
    B500C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 7A
    421Кешбэк 63 балла
    KBPC3502WP1PH BRIDGE KBPC 200V 35A
    423Кешбэк 63 балла
    KBPC3506WPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 600V 35A
    423Кешбэк 63 балла
    B40C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 80V 3.7A
    425Кешбэк 63 балла
    B80C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 160V 5A
    427Кешбэк 64 балла
    B40C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 80V 7A
    441Кешбэк 66 баллов
    B250C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 3.7A
    441Кешбэк 66 баллов
    GBI35M1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35A
    443Кешбэк 66 баллов
    GBI40K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 40A
    451Кешбэк 67 баллов
    GBU12M1PH BRIDGE GBU 1000V 12A
    455Кешбэк 68 баллов
    DBI20-08B3PH BRIDGE 35X25X4 800V 20A
    465Кешбэк 69 баллов
    B250C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 5A
    467Кешбэк 70 баллов
    B125C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 250V 7A
    467Кешбэк 70 баллов
    KBPC3506FPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 600V 35A
    473Кешбэк 70 баллов
    B125C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 250V 5A
    475Кешбэк 71 балл
    KBPC3508WP1PH BRIDGE KBPC 800V 35A
    479Кешбэк 71 балл
    GBU12B1PH BRIDGE GBU 100V 12A
    491Кешбэк 73 балла
    GBU12J1PH BRIDGE GBU 600V 12A
    491Кешбэк 73 балла
    GBU12G1PH BRIDGE GBU 400V 12A
    491Кешбэк 73 балла
    B380C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 5A
    499Кешбэк 74 балла
    KBPC10/15/2510WP1PH BRIDGE KBPC 1000V 25A
    501Кешбэк 75 баллов
    GBU12DДиод: 1PH BRIDGE GBU 200V 12A
    511Кешбэк 76 баллов
    KBPC10/15/2510FP1PH BRIDGE KBPC 1000V 25A
    537Кешбэк 80 баллов
    GBU12A1PH BRIDGE GBU 50V 12A
    543Кешбэк 81 балл
    B500C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 5A
    545Кешбэк 81 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП