Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBI35M
  • В избранное
  • В сравнение
GBI35M

GBI35M

GBI35M
;
GBI35M

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBI35M
  • Описание:
    1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35AВсе характеристики

Минимальная цена GBI35M при покупке от 1 шт 443.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBI35M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBI35M

GBI35M DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35A

  • Основные параметры:
    • Мощность: 35A (35 ампер)
    • Напряжение: 1000В
    • Форм-фактор: 30x20x3.6 мм
    • Тип: однофазная мостовая диодная решетка
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию диодов Diotec Semiconductor
    • Компактный размер для экономии места
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Мощная токосъемность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Необходимо соблюдать требования к теплоотводу из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих преобразования или регулирования напряжения
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, блоках управления
    • Подходит для устройств, где важны высокие технические характеристики
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Блоки управления
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBI35M

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBI
  • Исполнение корпуса
    GBI

Техническая документация

 GBI35M.pdf
pdf. 0 kb
  • 924 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    443 ₽
  • 10
    309 ₽
  • 25
    255 ₽
  • 100
    196 ₽
  • 500
    184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBI35M
  • Описание:
    1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35AВсе характеристики

Минимальная цена GBI35M при покупке от 1 шт 443.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBI35M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBI35M

GBI35M DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35A

  • Основные параметры:
    • Мощность: 35A (35 ампер)
    • Напряжение: 1000В
    • Форм-фактор: 30x20x3.6 мм
    • Тип: однофазная мостовая диодная решетка
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию диодов Diotec Semiconductor
    • Компактный размер для экономии места
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Мощная токосъемность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Необходимо соблюдать требования к теплоотводу из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих преобразования или регулирования напряжения
    • Применяется в источниках питания, преобразователях энергии, блоках управления
    • Подходит для устройств, где важны высокие технические характеристики
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Блоки управления
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBI35M

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBI
  • Исполнение корпуса
    GBI

Техническая документация

 GBI35M.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    B80C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 160V 5A
    421Кешбэк 63 балла
    B40C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 80V 7A
    434Кешбэк 65 баллов
    B250C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 3.7A
    434Кешбэк 65 баллов
    GBI35M1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35A
    436Кешбэк 65 баллов
    GBI40K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 40A
    444Кешбэк 66 баллов
    GBU12M1PH BRIDGE GBU 1000V 12A
    448Кешбэк 67 баллов
    DBI20-08B3PH BRIDGE 35X25X4 800V 20A
    456Кешбэк 68 баллов
    B250C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 5A
    460Кешбэк 69 баллов
    B125C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 250V 7A
    460Кешбэк 69 баллов
    KBPC3506FPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 600V 35A
    466Кешбэк 69 баллов
    B125C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 250V 5A
    468Кешбэк 70 баллов
    KBPC3508WP1PH BRIDGE KBPC 800V 35A
    474Кешбэк 71 балл
    GBU12B1PH BRIDGE GBU 100V 12A
    484Кешбэк 72 балла
    GBU12J1PH BRIDGE GBU 600V 12A
    484Кешбэк 72 балла
    GBU12G1PH BRIDGE GBU 400V 12A
    484Кешбэк 72 балла
    B380C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 5A
    491Кешбэк 73 балла
    KBPC10/15/2510WP1PH BRIDGE KBPC 1000V 25A
    493Кешбэк 73 балла
    GBU12DДиод: 1PH BRIDGE GBU 200V 12A
    505Кешбэк 75 баллов
    KBPC10/15/2510FP1PH BRIDGE KBPC 1000V 25A
    529Кешбэк 79 баллов
    GBU12A1PH BRIDGE GBU 50V 12A
    535Кешбэк 80 баллов
    B500C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 5A
    537Кешбэк 80 баллов
    KBPC5001FP1PH BRIDGE KBPC 100V 50A
    560Кешбэк 84 балла
    KBPC3502FP1PH BRIDGE KBPC 200V 35A
    578Кешбэк 86 баллов
    DB15-063PH BRIDGE DB 600V 25A
    584Кешбэк 87 баллов
    KBPC10/15/2512FP1PH BRIDGE KBPC 1200V 25A
    590Кешбэк 88 баллов
    KBPC3501FP1PH BRIDGE KBPC 100V 35A
    602Кешбэк 90 баллов
    KBPC3512FP1PH BRIDGE KBPC 1200V 35A
    613Кешбэк 91 балл
    GBU12M-T1PH BRIDGE GBU 1000V 12A
    629Кешбэк 94 балла
    KBPC3514FP1PH BRIDGE KBPC 1400V 35A
    631Кешбэк 94 балла
    KBPC5006FPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 600V 50A
    631Кешбэк 94 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП