Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ1508-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ1508-F

GBJ1508-F

GBJ1508-F
;
GBJ1508-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    GBJ1508-F
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ1508-F при покупке от 1 шт 491.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ1508-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ1508-F

GBJ1508-F DIODES INCORPORATED Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 800В
    • Ток пропускания: 15А
    • Форма пакета: BRIDGE RECT 1PHASE
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
    • Эффективность преобразования напряжения
  • Минусы:
    • Относительная чувствительность к электрическим шумам
    • Необходимость дополнительной охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для различных приборов
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Электротранспорт
    • Системы управления электродвигателями
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ1508-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    15 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 7.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ1508

Техническая документация

 GBJ1508-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 63 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    491 ₽
  • 10
    323 ₽
  • 15
    307 ₽
  • 30
    285 ₽
  • 90
    250 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    GBJ1508-F
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ1508-F при покупке от 1 шт 491.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ1508-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ1508-F

GBJ1508-F DIODES INCORPORATED Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 800В
    • Ток пропускания: 15А
    • Форма пакета: BRIDGE RECT 1PHASE
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
    • Эффективность преобразования напряжения
  • Минусы:
    • Относительная чувствительность к электрическим шумам
    • Необходимость дополнительной охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для различных приборов
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Электротранспорт
    • Системы управления электродвигателями
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ1508-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    15 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 7.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ1508

Техническая документация

 GBJ1508-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ606-FBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ2002-FBRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ2004-FBRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ1002-FBRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ10005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1004-FBRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1001-FBRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1508-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
    486Кешбэк 72 балла
    GBJ2501-FBRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ
    495Кешбэк 74 балла
    GBJ1010-FBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
    507Кешбэк 76 баллов
    GBJ1510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2006-FBRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ810-FBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2008-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    554Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    573Кешбэк 85 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    573Кешбэк 85 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    157Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    290Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    290Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    290Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    307Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    309Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП