Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ2002-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ2002-F

GBJ2002-F

GBJ2002-F
;
GBJ2002-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2002-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2002-F при покупке от 1 шт 465.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2002-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2002-F

GBJ2002-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ — это мостовой диодный мост, предназначенный для использования в однофазных электрических цепях. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение: 200 В
  • Номинальный ток: 20 А
  • Тип: Мостовой диодный мост
  • Фаза: Однофазная
  • Производитель: Diodes Incorporated

Плюсы:

  • Высокая надежность: Диоды износоустойчивы и долговечны.
  • Концентрация мощности: Усиление преобразования переменного тока в постоянный.
  • Экономичность: Эффективное использование энергии.

Минусы:

  • Зависимость от температуры: При повышении температуры может снижаться эффективность.
  • Проблемы с перегрузкой: Может потребоваться дополнительное охлаждение при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Преобразование переменного тока в постоянный для зарядных устройств.
  • Управление питанием в электронных устройствах.
  • Защита электронной аппаратуры от обратного напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные зарядные устройства.
  • Электроплиты и other бытовые приборы.
  • Инверторы и другие системы питания.
  • Системы управления приводами.
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2002-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2002

Техническая документация

 GBJ2002-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    465 ₽
  • 15
    278 ₽
  • 105
    203 ₽
  • 510
    164 ₽
  • 2010
    140 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2002-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2002-F при покупке от 1 шт 465.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2002-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2002-F

GBJ2002-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ — это мостовой диодный мост, предназначенный для использования в однофазных электрических цепях. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение: 200 В
  • Номинальный ток: 20 А
  • Тип: Мостовой диодный мост
  • Фаза: Однофазная
  • Производитель: Diodes Incorporated

Плюсы:

  • Высокая надежность: Диоды износоустойчивы и долговечны.
  • Концентрация мощности: Усиление преобразования переменного тока в постоянный.
  • Экономичность: Эффективное использование энергии.

Минусы:

  • Зависимость от температуры: При повышении температуры может снижаться эффективность.
  • Проблемы с перегрузкой: Может потребоваться дополнительное охлаждение при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Преобразование переменного тока в постоянный для зарядных устройств.
  • Управление питанием в электронных устройствах.
  • Защита электронной аппаратуры от обратного напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные зарядные устройства.
  • Электроплиты и other бытовые приборы.
  • Инверторы и другие системы питания.
  • Системы управления приводами.
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2002-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2002

Техническая документация

 GBJ2002-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ606-FBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ2002-FBRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ2004-FBRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ1002-FBRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ10005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1004-FBRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1001-FBRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1508-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
    486Кешбэк 72 балла
    GBJ2501-FBRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ
    495Кешбэк 74 балла
    GBJ1010-FBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
    507Кешбэк 76 баллов
    GBJ1510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2006-FBRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ810-FBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2008-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    554Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    573Кешбэк 85 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    573Кешбэк 85 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    157Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    290Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    290Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    290Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    307Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    309Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП