Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ2002-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ2002-F

GBJ2002-F

GBJ2002-F
;
GBJ2002-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2002-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2002-F при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2002-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2002-F

GBJ2002-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ — это мостовой диодный мост, предназначенный для использования в однофазных электрических цепях. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение: 200 В
  • Номинальный ток: 20 А
  • Тип: Мостовой диодный мост
  • Фаза: Однофазная
  • Производитель: Diodes Incorporated

Плюсы:

  • Высокая надежность: Диоды износоустойчивы и долговечны.
  • Концентрация мощности: Усиление преобразования переменного тока в постоянный.
  • Экономичность: Эффективное использование энергии.

Минусы:

  • Зависимость от температуры: При повышении температуры может снижаться эффективность.
  • Проблемы с перегрузкой: Может потребоваться дополнительное охлаждение при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Преобразование переменного тока в постоянный для зарядных устройств.
  • Управление питанием в электронных устройствах.
  • Защита электронной аппаратуры от обратного напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные зарядные устройства.
  • Электроплиты и other бытовые приборы.
  • Инверторы и другие системы питания.
  • Системы управления приводами.
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2002-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2002

Техническая документация

 GBJ2002-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    454 ₽
  • 15
    271 ₽
  • 105
    198 ₽
  • 510
    160 ₽
  • 2010
    137 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2002-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2002-F при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2002-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2002-F

GBJ2002-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ — это мостовой диодный мост, предназначенный для использования в однофазных электрических цепях. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение: 200 В
  • Номинальный ток: 20 А
  • Тип: Мостовой диодный мост
  • Фаза: Однофазная
  • Производитель: Diodes Incorporated

Плюсы:

  • Высокая надежность: Диоды износоустойчивы и долговечны.
  • Концентрация мощности: Усиление преобразования переменного тока в постоянный.
  • Экономичность: Эффективное использование энергии.

Минусы:

  • Зависимость от температуры: При повышении температуры может снижаться эффективность.
  • Проблемы с перегрузкой: Может потребоваться дополнительное охлаждение при высоких нагрузках.

Общее назначение:

  • Преобразование переменного тока в постоянный для зарядных устройств.
  • Управление питанием в электронных устройствах.
  • Защита электронной аппаратуры от обратного напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные зарядные устройства.
  • Электроплиты и other бытовые приборы.
  • Инверторы и другие системы питания.
  • Системы управления приводами.
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2002-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2002

Техническая документация

 GBJ2002-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ3506-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBJ
    434Кешбэк 65 баллов
    Z4DGP408L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A Z4-D
    378Кешбэк 56 баллов
    GBJ1508-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
    287Кешбэк 43 балла
    CDBHD240-GBRIDGE RECT 1P 40V 2A MINI-DIP
    359Кешбэк 53 балла
    DF06-GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A 4-DF
    169Кешбэк 25 баллов
    DF206-GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A 4-DF
    185Кешбэк 27 баллов
    DF1510S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
    219Кешбэк 32 балла
    PB3006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 30A PB
    791Кешбэк 118 баллов
    DF04-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A 4-DF
    169Кешбэк 25 баллов
    KBPC1010-GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBPC
    1 653Кешбэк 247 баллов
    KBU1010-GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBU
    537Кешбэк 80 баллов
    PB5006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 45A PB
    706Кешбэк 105 баллов
    DF2005S-GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A DFS
    200Кешбэк 30 баллов
    DFL1508S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A DFS
    226Кешбэк 33 балла
    KBU8JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    337Кешбэк 50 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    326Кешбэк 48 баллов
    KBP06GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP
    152Кешбэк 22 балла
    CDBHD1100L-GBRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP
    365Кешбэк 54 балла
    DF204S-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DFS
    193Кешбэк 28 баллов
    GBJ5010-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBJ
    604Кешбэк 90 баллов
    DB107-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-1
    113Кешбэк 16 баллов
    KBL404-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    335Кешбэк 50 баллов
    DF1506S-TBRIDGE RECT 1P 600V 1.5A DF-S
    161Кешбэк 24 балла
    DF06S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
    148Кешбэк 22 балла
    DF02M-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFM
    146Кешбэк 21 балл
    Z4GP208-HFBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A ABS
    233Кешбэк 34 балла
    TBS22J-TPBRIDGE RECT 1P 600V 2.2A 4TBS
    109Кешбэк 16 баллов
    MB2S-E3/45BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA
    61Кешбэк 9 баллов
    CDBHD140L-GBRIDGE RECT 1P 40V 1A MINI-DIP
    330Кешбэк 49 баллов
    CDBHM1100L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A MBS
    191Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП