Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ2006-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ2006-F

GBJ2006-F

GBJ2006-F
;
GBJ2006-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2006-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2006-F при покупке от 1 шт 511.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2006-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2006-F

GBJ2006-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ

  • Основные параметры:
    • Тип: Мостовая диодная решетка (Bridge Rectifier)
    • Фаза: 1фаза
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 20А
    • Марка: GBJ2006-F
    • Производитель: Diodes Incorporated
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и компактность
    • Эффективность преобразования напряжения
    • Простота монтажа и использования
  • Минусы:
    • Неэффективно при работе с низкими нагрузками
    • Существует потери при преобразовании напряжения
    • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного напряжения в постоянное для различных приложений
    • Использование в электронных устройствах, например, в блоках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Работа в источниках энергии, где требуется преобразование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания для различных устройств
    • Автомобильные аккумуляторные системы
    • Системы управления мощностью
    • Источники бесперебойного питания (UPS)
    • Электронные устройства, требующие преобразования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2006-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2006

Техническая документация

 GBJ2006-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 93 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    511 ₽
  • 15
    287 ₽
  • 105
    227 ₽
  • 510
    184 ₽
  • 2010
    158 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2006-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2006-F при покупке от 1 шт 511.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2006-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2006-F

GBJ2006-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ

  • Основные параметры:
    • Тип: Мостовая диодная решетка (Bridge Rectifier)
    • Фаза: 1фаза
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 20А
    • Марка: GBJ2006-F
    • Производитель: Diodes Incorporated
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и компактность
    • Эффективность преобразования напряжения
    • Простота монтажа и использования
  • Минусы:
    • Неэффективно при работе с низкими нагрузками
    • Существует потери при преобразовании напряжения
    • Необходимо дополнительное охлаждение при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного напряжения в постоянное для различных приложений
    • Использование в электронных устройствах, например, в блоках питания
    • Применение в системах управления мощностью
    • Работа в источниках энергии, где требуется преобразование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания для различных устройств
    • Автомобильные аккумуляторные системы
    • Системы управления мощностью
    • Источники бесперебойного питания (UPS)
    • Электронные устройства, требующие преобразования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2006-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 10 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2006

Техническая документация

 GBJ2006-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF06S-TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF02S-TBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
    117Кешбэк 17 баллов
    DF04S-TBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF1502S-TBRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DF-S
    120Кешбэк 18 баллов
    DF1510S-TДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DF-S
    127Кешбэк 19 баллов
    SDA006-7BRIDGE RECT 3P 75V 215MA SOT363
    130Кешбэк 19 баллов
    DF10MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM
    132Кешбэк 19 баллов
    DF1504S-TBRIDGE RECT 1P 400V 1.5A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800KV 1A DFM
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08S-TBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    KBP201GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    134Кешбэк 20 баллов
    DF15005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    137Кешбэк 20 баллов
    KBP01GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP02GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    DF1501S-TBRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DF-S
    141Кешбэк 21 балл
    DF10S-TBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
    142Кешбэк 21 балл
    KBP04GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP
    143Кешбэк 21 балл
    KBP06GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP
    152Кешбэк 22 балла
    KBP08GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP
    156Кешбэк 23 балла
    DF1506S-TBRIDGE RECT 1P 600V 1.5A DF-S
    161Кешбэк 24 балла
    SBR05M60BLP-7BRIDGE RECT 1P 60V 500MA DFN3030
    161Кешбэк 24 балла
    DF1508S-TBRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DF-S
    170Кешбэк 25 баллов
    KBP10GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A KBP
    185Кешбэк 27 баллов
    RH06-TBRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4-DIP
    200Кешбэк 30 баллов
    RH04-TBRIDGE RECT 1P 400V 500MA 4-DIP
    217Кешбэк 32 балла
    DF02SBRIDGE RECT 1PHASE 200KV 1A DFS
    233Кешбэк 34 балла
    DF15005SBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    241Кешбэк 36 баллов
    KBJ408GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ
    246Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП