GBJ2008-F

GBJ2008-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ — это диодный мост для одноточечного питания с напряжением до 800 В и током до 20 А.

• Основные параметры:
• Напряжение (V_RRM) — 800 В
• Ток (I_AV) — 20 А
• Количество диодов — 4
• Строечное соединение — параллельное
• Тип — мостовой диод

• Плюсы:
• Высокая надежность благодаря использованию нескольких диодов в параллельном соединении
• Высокое напряжение сброса
• Устойчивость к перенапряжениям
• Малый размер и легкость

• Минусы:
• Высокий уровень тепловыделения из-за параллельного соединения диодов
• Необходимость использования радиатора для эффективного отвода тепла
• Более высокие затраты на производство по сравнению с последовательными диодами

• Общее назначение:
• Преобразование переменного тока в постоянный для различных приложений
• Защита электронных устройств от обратного напряжения
• Уменьшение гармонических составляющих в электрической сети

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленное оборудование
• Электронные устройства с непрерывной нагрузкой
• Системы управления энергопотреблением