Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ2501-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ2501-F

GBJ2501-F

GBJ2501-F
;
GBJ2501-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2501-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2501-F при покупке от 1 шт 495.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2501-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2501-F

GBJ2501-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ — это мостовой диодный мост, предназначенный для преобразования переменного напряжения в постоянное. Основные параметры:

  • Напряжение срабатывания (VBR): 100В
  • Разрядное напряжение (VRRM): не указано, но обычно выше VBR
  • Ток переноса (ISM): 25А
  • Температурный коэффициент: не указан, но обычно около -2 мВ/°C
  • Количество диодов: 4
  • Форм-фактор: SOD-123

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря стабильным характеристикам и долгому сроку службы.
  • Малый размер и легкий вес благодаря компактному корпусу SOD-123.
  • Высокая токовая способность до 25А.

Минусы:

  • Ограниченная мощность из-за малого количества диодов.
  • Тепловые потери могут быть значительными при высоком токе.

Общее назначение:

  • Преобразование переменного напряжения в постоянное для различных электронных устройств.
  • Защита от обратного напряжения.
  • Уменьшение колебаний в сети питания.

Применяется в:

  • Мощных источниках питания.
  • Электронных устройствах для домашнего использования.
  • Автомобильных системах.
  • Промышленных приборах.
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2501-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    25 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2501

Техническая документация

 GBJ2501-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 90 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    495 ₽
  • 15
    297 ₽
  • 105
    213 ₽
  • 510
    176 ₽
  • 2010
    151 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ2501-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ2501-F при покупке от 1 шт 495.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ2501-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ2501-F

GBJ2501-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ — это мостовой диодный мост, предназначенный для преобразования переменного напряжения в постоянное. Основные параметры:

  • Напряжение срабатывания (VBR): 100В
  • Разрядное напряжение (VRRM): не указано, но обычно выше VBR
  • Ток переноса (ISM): 25А
  • Температурный коэффициент: не указан, но обычно около -2 мВ/°C
  • Количество диодов: 4
  • Форм-фактор: SOD-123

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря стабильным характеристикам и долгому сроку службы.
  • Малый размер и легкий вес благодаря компактному корпусу SOD-123.
  • Высокая токовая способность до 25А.

Минусы:

  • Ограниченная мощность из-за малого количества диодов.
  • Тепловые потери могут быть значительными при высоком токе.

Общее назначение:

  • Преобразование переменного напряжения в постоянное для различных электронных устройств.
  • Защита от обратного напряжения.
  • Уменьшение колебаний в сети питания.

Применяется в:

  • Мощных источниках питания.
  • Электронных устройствах для домашнего использования.
  • Автомобильных системах.
  • Промышленных приборах.
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ2501-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    25 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ2501

Техническая документация

 GBJ2501-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ606-FBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ2002-FBRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ2004-FBRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ
    465Кешбэк 69 баллов
    GBJ1002-FBRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ10005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1004-FBRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1001-FBRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ
    471Кешбэк 70 баллов
    GBJ1508-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBJ
    486Кешбэк 72 балла
    GBJ2501-FBRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ
    495Кешбэк 74 балла
    GBJ1010-FBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
    507Кешбэк 76 баллов
    GBJ1510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2006-FBRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ810-FBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2008-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
    524Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    554Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    573Кешбэк 85 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    573Кешбэк 85 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    157Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    290Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    290Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    290Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    307Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    309Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули триодных тиристоров
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП