Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBJ608-F
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ608-F

GBJ608-F

GBJ608-F
;
GBJ608-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ608-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ608-F при покупке от 1 шт 577.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ608-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ608-F

GBJ608-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ

  • Основные параметры:
    • Тип: Бридж-регулятор
    • Количество фаз: 1
    • Номинальное напряжение: 800 В
    • Номинальный ток: 6 А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильная работа при широком диапазоне температур
    • Малый размер и легкий вес
    • Эффективность преобразования
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать параметры сети при подключении
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
  • Общее назначение:
    • Преобразование асинхронного напряжения в синхронное
    • Уменьшение колебаний напряжения
    • Оптимизация энергопотребления в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Телевизоры
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Системы питания для бытовой техники
    • Автомобильные системы питания
    • Производственные установки
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ608-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ608

Техническая документация

 GBJ608-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    577 ₽
  • 10
    253 ₽
  • 105
    251 ₽
  • 510
    237 ₽
  • 1005
    220 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    GBJ608-F
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJВсе характеристики

Минимальная цена GBJ608-F при покупке от 1 шт 577.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ608-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ608-F

GBJ608-F Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ

  • Основные параметры:
    • Тип: Бридж-регулятор
    • Количество фаз: 1
    • Номинальное напряжение: 800 В
    • Номинальный ток: 6 А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильная работа при широком диапазоне температур
    • Малый размер и легкий вес
    • Эффективность преобразования
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать параметры сети при подключении
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких токов
  • Общее назначение:
    • Преобразование асинхронного напряжения в синхронное
    • Уменьшение колебаний напряжения
    • Оптимизация энергопотребления в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Телевизоры
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Системы питания для бытовой техники
    • Автомобильные системы питания
    • Производственные установки
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ608-F

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ
  • Base Product Number
    GBJ608

Техническая документация

 GBJ608-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    555Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    158Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    291Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    308Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    310Кешбэк 46 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
    336Кешбэк 50 баллов
    KBU8MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
    344Кешбэк 51 балл
    BR62BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
    382Кешбэк 57 баллов
    BR82BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    BR88BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    KBJ25005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
    386Кешбэк 57 баллов
    KBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов
    KBPC15005WBRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП