Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBJ8M
  • В избранное
  • В сравнение
GBJ8M

GBJ8M

GBJ8M
;
GBJ8M

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    SURGE
  • Артикул:
    GBJ8M
  • Описание:
    8A -1000V - GBJ - BRIDGEВсе характеристики

Минимальная цена GBJ8M при покупке от 1 шт 153.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ8M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ8M

GBJ8M SURGE 8A -1000V - GBJ - BRIDGE

  • Основные параметры:
    • Тип: Защитный мост (surge protector)
    • Максимальный ток: 8 А
    • Разрядное напряжение: 1000 В
    • Кодировка: GBJ
  • Плюсы:
    • Высокая защита от импульсных перенапряжений
    • Способность обрабатывать большие токи
    • Прочная конструкция
    • Долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо регулярное тестирование
    • Не всегда обеспечивает полную защиту от всех видов перенапряжений
    • Замена может быть затруднительной из-за прочной конструкции
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств и систем от импульсных перенапряжений
    • Обеспечение стабильной работы оборудования в условиях неблагоприятных электрических условий
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные системы управления
    • Автомобильные электронные системы
    • Устройства связи
    • Промышленное оборудование
    • Компьютерное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ8M

  • Package
    Bag
  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ-6

Техническая документация

 GBJ8M.pdf
pdf. 0 kb
  • 250 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    153 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    SURGE
  • Артикул:
    GBJ8M
  • Описание:
    8A -1000V - GBJ - BRIDGEВсе характеристики

Минимальная цена GBJ8M при покупке от 1 шт 153.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBJ8M с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBJ8M

GBJ8M SURGE 8A -1000V - GBJ - BRIDGE

  • Основные параметры:
    • Тип: Защитный мост (surge protector)
    • Максимальный ток: 8 А
    • Разрядное напряжение: 1000 В
    • Кодировка: GBJ
  • Плюсы:
    • Высокая защита от импульсных перенапряжений
    • Способность обрабатывать большие токи
    • Прочная конструкция
    • Долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо регулярное тестирование
    • Не всегда обеспечивает полную защиту от всех видов перенапряжений
    • Замена может быть затруднительной из-за прочной конструкции
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств и систем от импульсных перенапряжений
    • Обеспечение стабильной работы оборудования в условиях неблагоприятных электрических условий
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные системы управления
    • Автомобильные электронные системы
    • Устройства связи
    • Промышленное оборудование
    • Компьютерное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBJ8M

  • Package
    Bag
  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBJ
  • Исполнение корпуса
    GBJ-6

Техническая документация

 GBJ8M.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CBR1-D010 PBFREEBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A 4DIP
    151Кешбэк 22 балла
    CBR1-D040 PBFREEBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A 4DIP
    155Кешбэк 23 балла
    LMB210S-TPBRIDGE RECT 100V 2A LMBS-1
    140Кешбэк 21 балл
    LMB16S-TPBRIDGE RECT 60V 1A LMBS-1
    97Кешбэк 14 баллов
    LMB18S-TPBRIDGE RECT 80V 1A LMBS-1
    95Кешбэк 14 баллов
    KBJ1010G-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBJ
    327Кешбэк 49 баллов
    KBP308G-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBP
    204Кешбэк 30 баллов
    GBU2508-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBU
    472Кешбэк 70 баллов
    3GBJ3516-BPДиод: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 35A TSB-5
    1 199Кешбэк 179 баллов
    SDB103-TPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A SDB-1
    93Кешбэк 13 баллов
    GBJ806-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBJ
    308Кешбэк 46 баллов
    ABS2MS_R2_00101ABS, GENERAL
    47Кешбэк 7 баллов
    DXK610_T0_00001DXK,GLASS PASSIVATED BRIDGE RECT
    116Кешбэк 17 баллов
    DXK810_T0_00001DXK,GLASS PASSIVATED BRIDGE RECT
    123Кешбэк 18 баллов
    GBU8MP_T0_00101Диод: GBU-1, GENERAL
    194Кешбэк 29 баллов
    TS1100S_R1_00001TDI, SKY
    116Кешбэк 17 баллов
    DI108S_R2_00001Диод: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
    82Кешбэк 12 баллов
    KBP4MI_T0_00101KBP, GENERAL
    159Кешбэк 23 балла
    GBL410_T0_00601Диод: GBL PACKAGE, 4A/1000V LOW VF BRI
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP4M_T0_00101KBP, GENERAL
    151Кешбэк 22 балла
    GBU810_T0_00601GBU PACKAGE, 8A/1000V STANDARD B
    161Кешбэк 24 балла
    GBU1510_T0_00601GBU PACKAGE, 15A/1000V STANDARD
    174Кешбэк 26 баллов
    GBJ2010_T0_00601Диод: GBJ PACKAGE, 20A/1000V STANDARD
    220Кешбэк 33 балла
    KBJ2010_T0_00601KBJ PACKAGE, 20A/1000V STANDARD
    174Кешбэк 26 баллов
    GBU6MP_T0_00101GBU-1, GENERAL
    246Кешбэк 36 баллов
    KBJ3510_T0_00601Диод: KBJ PACKAGE, 35A/1000V STANDARD
    267Кешбэк 40 баллов
    MP256WBRIDGE REC GLASS 600V 25A MP-25W
    523Кешбэк 78 баллов
    GBJ20G20A -400V - GBJ(5S) - BRIDGE
    161Кешбэк 24 балла
    GBJ8M8A -1000V - GBJ - BRIDGE
    153Кешбэк 22 балла
    GBL2M2A -1000V - GBL - BRIDGE
    86Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП