Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBU10J
  • В избранное
  • В сравнение
GBU10J

GBU10J

GBU10J
;
GBU10J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    GBU10J
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU10J при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU10J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU10J

GBU10J DC COMPONENTS BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU — это диодный мост для преобразования переменного тока (AC) в постоянный ток (DC). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Номинальная токовая способность: 10 А
  • Фаза: 1 фаза
  • Тип: Диодный мост
  • Тип выходного напряжения: Постоянный ток (DC)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Простота конструкции
  • Низкий уровень шума при работе

Минусы:

  • Сложность в обратной подаче энергии
  • Неэффективность при частых переключениях направления тока
  • Необходимость дополнительных компонентов для защиты от обратного тока

Общее назначение:

Диодный мост используется для преобразования переменного тока в постоянный ток, что необходимо в различных электронных устройствах и системах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных зарядных устройствах
  • Измерительных приборах
  • Электроприводах
  • Разнообразных электронных устройствах
  • Солнечных батареях для питания домашних систем
Выбрано: Показать

Характеристики GBU10J

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU10

Техническая документация

 GBU10J.pdf
pdf. 0 kb
  • 182 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    310 ₽
  • 10
    219 ₽
  • 25
    191 ₽
  • 100
    155 ₽
  • 500
    122 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    GBU10J
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU10J при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU10J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU10J

GBU10J DC COMPONENTS BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU — это диодный мост для преобразования переменного тока (AC) в постоянный ток (DC). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Номинальная токовая способность: 10 А
  • Фаза: 1 фаза
  • Тип: Диодный мост
  • Тип выходного напряжения: Постоянный ток (DC)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Простота конструкции
  • Низкий уровень шума при работе

Минусы:

  • Сложность в обратной подаче энергии
  • Неэффективность при частых переключениях направления тока
  • Необходимость дополнительных компонентов для защиты от обратного тока

Общее назначение:

Диодный мост используется для преобразования переменного тока в постоянный ток, что необходимо в различных электронных устройствах и системах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных зарядных устройствах
  • Измерительных приборах
  • Электроприводах
  • Разнообразных электронных устройствах
  • Солнечных батареях для питания домашних систем
Выбрано: Показать

Характеристики GBU10J

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    10 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU10

Техническая документация

 GBU10J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    555Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    158Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    291Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    308Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    310Кешбэк 46 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
    336Кешбэк 50 баллов
    KBU8MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
    344Кешбэк 51 балл
    BR62BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
    382Кешбэк 57 баллов
    BR82BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    BR88BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    KBJ25005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
    386Кешбэк 57 баллов
    KBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов
    KBPC15005WBRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП