Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBU12J
  • В избранное
  • В сравнение
GBU12J

GBU12J

GBU12J
;
GBU12J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU12J
  • Описание:
    1PH BRIDGE GBU 600V 12AВсе характеристики

Минимальная цена GBU12J при покупке от 1 шт 452.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU12J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU12J

GBU12J DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE GBU 600V 12A

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 600В
    • Ток пропускания: 12А
    • Количество полупроводников: 4
    • Форма: мост
    • Количество фаз: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долгий срок службы
    • Эффективная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует правильной термической вентиляции для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электропитании различных устройств и систем
    • Контроль и регулировка тока в однофазных схемах
    • Защита от перегрузок и коротких замыканий
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
    • Батареи и аккумуляторы
    • Переносные зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики GBU12J

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8.4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 12 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

 GBU12J.pdf
pdf. 0 kb
  • 738 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    452 ₽
  • 10
    295 ₽
  • 100
    198 ₽
  • 600
    161 ₽
  • 2000
    150 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU12J
  • Описание:
    1PH BRIDGE GBU 600V 12AВсе характеристики

Минимальная цена GBU12J при покупке от 1 шт 452.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU12J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU12J

GBU12J DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE GBU 600V 12A

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 600В
    • Ток пропускания: 12А
    • Количество полупроводников: 4
    • Форма: мост
    • Количество фаз: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долгий срок службы
    • Эффективная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует правильной термической вентиляции для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электропитании различных устройств и систем
    • Контроль и регулировка тока в однофазных схемах
    • Защита от перегрузок и коротких замыканий
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
    • Батареи и аккумуляторы
    • Переносные зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики GBU12J

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8.4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 12 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

 GBU12J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UR8KB60BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A D3K
    270Кешбэк 40 баллов
    CBR1-D040 PBFREEBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A 4DIP
    154Кешбэк 23 балла
    BR1010SG-GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A BR-8
    556Кешбэк 83 балла
    B40FSBRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE,
    106Кешбэк 15 баллов
    GBU2506BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBU
    165Кешбэк 24 балла
    DB156SBRIDGE RECT 800V 1.5A DB-S
    29Кешбэк 4 балла
    RTT410-13Диод: RAPID GPP RECTIFIER TT T&R 1.5K
    141Кешбэк 21 балл
    B500S2A-SLIMBRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE,
    77Кешбэк 11 баллов
    UG2KB60BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A D3K
    119Кешбэк 17 баллов
    DBI25-08A3PH BRIDGE 35X25X4 800V 25A
    1 286Кешбэк 192 балла
    DBLS107GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
    165Кешбэк 24 балла
    GBU15L05BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBU
    939Кешбэк 140 баллов
    DBL105GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBL
    150Кешбэк 22 балла
    GBU12B1PH BRIDGE GBU 100V 12A
    465Кешбэк 69 баллов
    B125S15ABRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE,
    78Кешбэк 11 баллов
    B125S-SLIM1PH BRIDGE SO-DIL 250V 1A
    78Кешбэк 11 баллов
    B80D1PH BRIDGE DIL 160V 1A
    76Кешбэк 11 баллов
    B380R1PH BRIDGE D9X5 800V 2A
    75Кешбэк 11 баллов
    KBPC3504Диод: 35 AMP BRIDGE RECTIFIER
    1 151Кешбэк 172 балла
    UR8KB100BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A D3K
    270Кешбэк 40 баллов
    TT410-13Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A TT
    174Кешбэк 26 баллов
    HBS4101000V,4APACKAGE HBS BRIDGE RECTI
    156Кешбэк 23 балла
    TBS4064A 600V STANDARD BRIDGE RECTIFIE
    185Кешбэк 27 баллов
    UG2KB100BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A D3K
    119Кешбэк 17 баллов
    TBS6106A 1000V STANDARD BRIDGE RECTIFI
    220Кешбэк 33 балла
    CBRLDSH2-40 TR13 PBFREEBRIDGE RECT 1PHASE 40V 2A 4LPDIP
    263Кешбэк 39 баллов
    GBU4B-T1PH BRIDGE GBU 100V 4A
    113Кешбэк 16 баллов
    GBV15K1PH BRIDGE GBU 800V 15A
    166Кешбэк 24 балла
    YBSM4010RECT BRIDGE 1000V 4A YBS3
    73Кешбэк 10 баллов
    CBR1-D060SBRIDGE RECT 1P 600V 1A 4SMDIP
    261Кешбэк 39 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП