Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
GBU12J

GBU12J

GBU12J
;
GBU12J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена GBU12J при покупке от 1 шт 491.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU12J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU12J

GBU12J DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE GBU 600V 12A

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 600В
    • Ток пропускания: 12А
    • Количество полупроводников: 4
    • Форма: мост
    • Количество фаз: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долгий срок службы
    • Эффективная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует правильной термической вентиляции для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электропитании различных устройств и систем
    • Контроль и регулировка тока в однофазных схемах
    • Защита от перегрузок и коротких замыканий
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
    • Батареи и аккумуляторы
    • Переносные зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики GBU12J

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8.4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 12 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

GBU12J.pdf
pdf. 0 kb
  • 738 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    491 ₽
  • 10
    319 ₽
  • 100
    219 ₽
  • 200
    201 ₽
  • 400
    186 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена GBU12J при покупке от 1 шт 491.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU12J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU12J

GBU12J DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE GBU 600V 12A

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение: 600В
    • Ток пропускания: 12А
    • Количество полупроводников: 4
    • Форма: мост
    • Количество фаз: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долгий срок службы
    • Эффективная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует правильной термической вентиляции для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электропитании различных устройств и систем
    • Контроль и регулировка тока в однофазных схемах
    • Защита от перегрузок и коротких замыканий
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателей
    • Батареи и аккумуляторы
    • Переносные зарядные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики GBU12J

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8.4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 12 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

GBU12J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории