Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBU4D-E3/51
  • В избранное
  • В сравнение
GBU4D-E3/51

GBU4D-E3/51

GBU4D-E3/51
;
GBU4D-E3/51

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GBU4D-E3/51
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU4D-E3/51 при покупке от 1 шт 495.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU4D-E3/51 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU4D-E3/51

GBU4D-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 200В
    • Ток прямого тока: 3А
    • Количество диодов: 4
    • Форма пакета: E3
    • Тип прибора: мостовая резисторная схема (BR)
    • Фаза: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долгий срок службы
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективное использование энергии
  • Минусы:
    • Необходимость правильной установки для предотвращения перегрева
    • Требует дополнительных мер охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение: Используется для преобразования переменного тока в постоянный.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления электропитанием
    • Электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики GBU4D-E3/51

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU4

Техническая документация

 GBU4D-E3/51.pdf
pdf. 0 kb
  • 639 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    495 ₽
  • 10
    319 ₽
  • 100
    193 ₽
  • 500
    176 ₽
  • 5000
    145 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GBU4D-E3/51
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU4D-E3/51 при покупке от 1 шт 495.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU4D-E3/51 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU4D-E3/51

GBU4D-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 200В
    • Ток прямого тока: 3А
    • Количество диодов: 4
    • Форма пакета: E3
    • Тип прибора: мостовая резисторная схема (BR)
    • Фаза: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долгий срок службы
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективное использование энергии
  • Минусы:
    • Необходимость правильной установки для предотвращения перегрева
    • Требует дополнительных мер охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение: Используется для преобразования переменного тока в постоянный.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления электропитанием
    • Электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики GBU4D-E3/51

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU4

Техническая документация

 GBU4D-E3/51.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BU1508-E3/51BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU
    724Кешбэк 108 баллов
    GBPC1210-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 12A GBPC
    1 004Кешбэк 150 баллов
    GBPC2501W-E4/51BRIDGE RECT 1P 100V 25A GBPC-W
    1 017Кешбэк 152 балла
    GBPC3504W-E4/51BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
    1 175Кешбэк 176 баллов
    GBPC1502W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 15A GBPC-W
    1 143Кешбэк 171 балл
    GBPC2502W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W
    1 119Кешбэк 167 баллов
    KBL01-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A KBL
    811Кешбэк 121 балл
    GBU8B-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU
    526Кешбэк 78 баллов
    GBPC1204W-E4/51BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W
    1 126Кешбэк 168 баллов
    GBPC35005-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 50V 35A GBPC
    1 215Кешбэк 182 балла
    GSIB1520-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 200V 3.5A GSIB-5S
    482Кешбэк 72 балла
    GBPC3501-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC
    1 173Кешбэк 175 баллов
    BU1006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BU
    698Кешбэк 104 балла
    GBPC1202W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W
    1 143Кешбэк 171 балл
    BU1510-M3/45BRIDGE RECT 1P 1KV 15A BU
    734Кешбэк 110 баллов
    KBL10-E4/51Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL
    815Кешбэк 122 балла
    GBL01-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
    378Кешбэк 56 баллов
    LMB6S-TPBRIDGE RECT 1P 600V 1A LMBS-1
    107Кешбэк 16 баллов
    DB105-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-1
    187Кешбэк 28 баллов
    MB1S-TPBRIDGE RECT 1P 100V 500MA MBS-1
    91Кешбэк 13 баллов
    GBJ5010-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBJ
    604Кешбэк 90 баллов
    DB107-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-1
    113Кешбэк 16 баллов
    LMB8S-TPBRIDGE RECT 1P 800V 1A LMBS-1
    113Кешбэк 16 баллов
    UD4KB100-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A D3K
    161Кешбэк 24 балла
    MB10S-TPBRIDGE RECT 1P 1KV 500MA MBS-1
    78Кешбэк 11 баллов
    TBS20J-TPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A 4TBS
    100Кешбэк 15 баллов
    RS402GL-BP
    196Кешбэк 29 баллов
    RB152-BPBRIDGE RECT 1P 100V 1.5A RB-15
    79Кешбэк 11 баллов
    KBP201G-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBP
    135Кешбэк 20 баллов
    GBU4K-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
    202Кешбэк 30 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП