Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBU4J-E3/45
  • В избранное
  • В сравнение
GBU4J-E3/45

GBU4J-E3/45

GBU4J-E3/45
;
GBU4J-E3/45

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GBU4J-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU4J-E3/45 при покупке от 1 шт 512.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU4J-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU4J-E3/45

GBU4J-E3/45 Vishay General Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU

  • Основные параметры:
    • Напряжение: 600В
    • Рейтингный ток: 3А
    • Конструкция: мостовая резисторная
    • Фаза: одноточечная (1ф)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость
    • Низкий уровень шума при работе
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для больших нагрузок
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Перевод переменного тока в постоянный
    • Использование в электропитании различных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Электропитание бытовых приборов
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики GBU4J-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU4

Техническая документация

 GBU4J-E3/45.pdf
pdf. 0 kb
  • 469 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    512 ₽
  • 10
    331 ₽
  • 100
    235 ₽
  • 500
    196 ₽
  • 1000
    170 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GBU4J-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU4J-E3/45 при покупке от 1 шт 512.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU4J-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU4J-E3/45

GBU4J-E3/45 Vishay General Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU

  • Основные параметры:
    • Напряжение: 600В
    • Рейтингный ток: 3А
    • Конструкция: мостовая резисторная
    • Фаза: одноточечная (1ф)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость
    • Низкий уровень шума при работе
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для больших нагрузок
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Перевод переменного тока в постоянный
    • Использование в электропитании различных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Электропитание бытовых приборов
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики GBU4J-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU4

Техническая документация

 GBU4J-E3/45.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF1501S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DFS
    225Кешбэк 33 балла
    DF15005S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DFS
    225Кешбэк 33 балла
    DF1501S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DFS
    225Кешбэк 33 балла
    DF1510S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
    229Кешбэк 34 балла
    2W04G-E4/51Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A WOG
    231Кешбэк 34 балла
    DF08S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
    231Кешбэк 34 балла
    DF005S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
    231Кешбэк 34 балла
    B250C1500G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOG
    231Кешбэк 34 балла
    B125C1000G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A WOG
    231Кешбэк 34 балла
    B125C800G-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 900MA WOG
    233Кешбэк 34 балла
    DFL1504S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DFS
    235Кешбэк 35 баллов
    DFL1506S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A DFS
    235Кешбэк 35 баллов
    RMB2S-E3/80BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA
    271Кешбэк 40 баллов
    EDF1AM-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFM
    347Кешбэк 52 балла
    EDF1AS-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
    347Кешбэк 52 балла
    EDF1AS-E3/77Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
    347Кешбэк 52 балла
    EDF1BS-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DFS
    347Кешбэк 52 балла
    G3SBA60-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
    360Кешбэк 54 балла
    GBL01-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
    393Кешбэк 58 баллов
    G3SBA60-M3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
    474Кешбэк 71 балл
    GSIB1560-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S
    477Кешбэк 71 балл
    GBU6J-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU
    491Кешбэк 73 балла
    GBU4J-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU
    512Кешбэк 76 баллов
    GBU4M-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBU
    514Кешбэк 77 баллов
    GBU4D-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU
    514Кешбэк 77 баллов
    GBU8B-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU
    535Кешбэк 80 баллов
    GBU8B-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU
    547Кешбэк 82 балла
    GBU6K-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU
    560Кешбэк 84 балла
    GSIB1540-E3/45BRIDGE RECT 1P 400V 3.5A GSIB-5S
    560Кешбэк 84 балла
    GBU6B-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.8A GBU
    562Кешбэк 84 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП