Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GBU8B-E3/45
  • В избранное
  • В сравнение
GBU8B-E3/45

GBU8B-E3/45

GBU8B-E3/45
;
GBU8B-E3/45

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GBU8B-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU8B-E3/45 при покупке от 1 шт 547.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8B-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8B-E3/45

GBU8B-E3/45 Vishay General Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU

  • Основные параметры:
    • Тип: мостовой диод
    • Фаза: однوفазная
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 3.9А
    • Марка: GBU8B-E3/45
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долгий срок службы
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с менее качественными аналогами
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для бытовой техники
    • Автомобильные аккумуляторные системы
    • Системы управления двигателей
    • Электроприборы
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8B-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.9 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU8

Техническая документация

 GBU8B-E3/45.pdf
pdf. 0 kb
  • 135 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    547 ₽
  • 10
    350 ₽
  • 100
    248 ₽
  • 500
    174 ₽
  • 5000
    159 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GBU8B-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBUВсе характеристики

Минимальная цена GBU8B-E3/45 при покупке от 1 шт 547.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8B-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8B-E3/45

GBU8B-E3/45 Vishay General Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU

  • Основные параметры:
    • Тип: мостовой диод
    • Фаза: однوفазная
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 3.9А
    • Марка: GBU8B-E3/45
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долгий срок службы
    • Компактные размеры
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с менее качественными аналогами
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для бытовой техники
    • Автомобильные аккумуляторные системы
    • Системы управления двигателей
    • Электроприборы
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8B-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.9 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU
  • Base Product Number
    GBU8

Техническая документация

 GBU8B-E3/45.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF1501S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DFS
    225Кешбэк 33 балла
    DF15005S-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DFS
    225Кешбэк 33 балла
    DF1501S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DFS
    225Кешбэк 33 балла
    DF1510S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
    229Кешбэк 34 балла
    2W04G-E4/51Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A WOG
    231Кешбэк 34 балла
    DF08S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFS
    231Кешбэк 34 балла
    DF005S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
    231Кешбэк 34 балла
    B250C1500G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOG
    231Кешбэк 34 балла
    B125C1000G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A WOG
    231Кешбэк 34 балла
    B125C800G-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 900MA WOG
    233Кешбэк 34 балла
    DFL1504S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DFS
    235Кешбэк 35 баллов
    DFL1506S-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A DFS
    235Кешбэк 35 баллов
    RMB2S-E3/80BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA
    271Кешбэк 40 баллов
    EDF1AM-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFM
    347Кешбэк 52 балла
    EDF1AS-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
    347Кешбэк 52 балла
    EDF1AS-E3/77Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
    347Кешбэк 52 балла
    EDF1BS-E3/77BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DFS
    347Кешбэк 52 балла
    G3SBA60-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
    360Кешбэк 54 балла
    GBL01-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3A GBL
    393Кешбэк 58 баллов
    G3SBA60-M3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
    474Кешбэк 71 балл
    GSIB1560-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S
    477Кешбэк 71 балл
    GBU6J-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU
    491Кешбэк 73 балла
    GBU4J-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU
    512Кешбэк 76 баллов
    GBU4M-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBU
    514Кешбэк 77 баллов
    GBU4D-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU
    514Кешбэк 77 баллов
    GBU8B-E3/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU
    535Кешбэк 80 баллов
    GBU8B-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU
    547Кешбэк 82 балла
    GBU6K-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU
    560Кешбэк 84 балла
    GSIB1540-E3/45BRIDGE RECT 1P 400V 3.5A GSIB-5S
    560Кешбэк 84 балла
    GBU6B-E3/45BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.8A GBU
    562Кешбэк 84 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП