Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBU8K-T
  • В избранное
  • В сравнение
GBU8K-T

GBU8K-T

GBU8K-T
;
GBU8K-T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU8K-T
  • Описание:
    Диод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8AВсе характеристики

Минимальная цена GBU8K-T при покупке от 1 шт 158.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8K-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8K-T

GBU8K-T DIOTEC SEMICONDUCTOR Диод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 8А
    • Количество полупроводниковых элементов: 4 (диодный мост)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Малый дроссельный потенциал
    • Устойчивость к импульсным перегрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Переключение между источниками питания
    • Превращение переменного тока в постоянный
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8K-T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5.6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

 GBU8K-T.pdf
pdf. 0 kb
  • 160 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    158 ₽
  • 5
    96 ₽
  • 20
    65 ₽
  • 100
    52 ₽
  • 500
    43 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU8K-T
  • Описание:
    Диод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8AВсе характеристики

Минимальная цена GBU8K-T при покупке от 1 шт 158.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8K-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8K-T

GBU8K-T DIOTEC SEMICONDUCTOR Диод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 8А
    • Количество полупроводниковых элементов: 4 (диодный мост)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Малый дроссельный потенциал
    • Устойчивость к импульсным перегрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Переключение между источниками питания
    • Превращение переменного тока в постоянный
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8K-T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5.6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

 GBU8K-T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBI25B1PH BRIDGE 30X20X3.6 100V 25A
    133Кешбэк 19 баллов
    GBI25A1PH BRIDGE 30X20X3.6 50V 25A
    133Кешбэк 19 баллов
    GBS4A1PH BRIDGE 19X10X3.5 50V 4A
    133Кешбэк 19 баллов
    GBI20A1PH BRIDGE 30X20X3.6 50V 20A
    135Кешбэк 20 баллов
    GBI15B1PH BRIDGE 30X20X3.6 100V 15A
    135Кешбэк 20 баллов
    CS10SBRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE,
    142Кешбэк 21 балл
    GBI10B1PH BRIDGE 30X20X3.6 100V 10A
    152Кешбэк 22 балла
    GBI35A1PH BRIDGE 30X20X3.6 50V 35A
    152Кешбэк 22 балла
    GBV15B1PH BRIDGE GBU 100V 15A
    156Кешбэк 23 балла
    GBV15M1PH BRIDGE GBU 1000V 15A
    156Кешбэк 23 балла
    GBI10A1PH BRIDGE 30X20X3.6 50V 10A
    156Кешбэк 23 балла
    GBU8G-T1PH BRIDGE GBU 400V 8A
    158Кешбэк 23 балла
    GBU8B-T1PH BRIDGE GBU 100V 8A
    158Кешбэк 23 балла
    GBU8K-TДиод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8A
    158Кешбэк 23 балла
    GBU8A-T1PH BRIDGE GBU 50V 8A
    158Кешбэк 23 балла
    GBU8D-T1PH BRIDGE GBU 200V 8A
    158Кешбэк 23 балла
    GBU8J-TДиод: 1PH BRIDGE GBU 600V 8A
    162Кешбэк 24 балла
    GBS4D1PH BRIDGE 19X10X3.5 200V 4A
    164Кешбэк 24 балла
    GBV15K1PH BRIDGE GBU 800V 15A
    167Кешбэк 25 баллов
    B250FD1PH BRIDGE DIL 600V 1A
    169Кешбэк 25 баллов
    KBPC610BRIDGE RECT 1P 1KV 6A KBPC
    170Кешбэк 25 баллов
    GBI25K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 25A
    170Кешбэк 25 баллов
    GBI10K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 10A
    176Кешбэк 26 баллов
    B250C1500B1PH BRIDGE 19X10X3.5 600V 2.3A
    198Кешбэк 29 баллов
    GBI40M1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 40A
    202Кешбэк 30 баллов
    GBS4G1PH BRIDGE 19X10X3.5 400V 4A
    205Кешбэк 30 баллов
    B80C1500A1PH BRIDGE 19X10X3.5 160V 2.3A
    206Кешбэк 30 баллов
    B380C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 7A
    216Кешбэк 32 балла
    GBI10G1PH BRIDGE 30X20X3.6 400V 10A
    226Кешбэк 33 балла
    B40C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 80V 5A
    227Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП