Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBU8K-T
  • В избранное
  • В сравнение
GBU8K-T

GBU8K-T

GBU8K-T
;
GBU8K-T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU8K-T
  • Описание:
    Диод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8AВсе характеристики

Минимальная цена GBU8K-T при покупке от 1 шт 158.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8K-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8K-T

GBU8K-T DIOTEC SEMICONDUCTOR Диод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 8А
    • Количество полупроводниковых элементов: 4 (диодный мост)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Малый дроссельный потенциал
    • Устойчивость к импульсным перегрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Переключение между источниками питания
    • Превращение переменного тока в постоянный
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8K-T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5.6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

 GBU8K-T.pdf
pdf. 0 kb
  • 160 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    158 ₽
  • 5
    96 ₽
  • 20
    65 ₽
  • 100
    52 ₽
  • 500
    43 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBU8K-T
  • Описание:
    Диод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8AВсе характеристики

Минимальная цена GBU8K-T при покупке от 1 шт 158.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8K-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8K-T

GBU8K-T DIOTEC SEMICONDUCTOR Диод: 1PH BRIDGE GBU 800V 8A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 8А
    • Количество полупроводниковых элементов: 4 (диодный мост)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Малый дроссельный потенциал
    • Устойчивость к импульсным перегрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Переключение между источниками питания
    • Превращение переменного тока в постоянный
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8K-T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5.6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

 GBU8K-T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MB05FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 500MA MBF
    16.8Кешбэк 2 балла
    ABS210BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A ABS
    39Кешбэк 5 баллов
    DB154SBRIDGE RECT 400V 1.5A DB-S
    31Кешбэк 4 балла
    DB203SBRIDGE RECT 200V 2A DB-S
    32Кешбэк 4 балла
    DB104SДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBS
    35Кешбэк 5 баллов
    DB105SBRIDGE RECT 600V 1A DB-S
    36Кешбэк 5 баллов
    DB207SBridge Rectifier DBS 1KV 2A
    36Кешбэк 5 баллов
    DB204SBRIDGE RECT 400V 2A DB-S
    36Кешбэк 5 баллов
    DB202SBRIDGE RECT 100V 2A DB-S
    36Кешбэк 5 баллов
    DB201SBRIDGE RECT 50V 2A DB-S
    36Кешбэк 5 баллов
    DB102SBRIDGE RECT 100V 1A DB-S
    38.5Кешбэк 5 баллов
    DB103SBRIDGE RECT 200V 1A DB-S
    38.5Кешбэк 5 баллов
    DB101SBRIDGE RECT 50V 1A DB-S
    38.5Кешбэк 5 баллов
    DB107SДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBS
    42Кешбэк 6 баллов
    DB106SДиод: BRIDGE RECT 800V 1A DB-S
    42Кешбэк 6 баллов
    DB152BRIDGE RECT 100V 1.5A DB-1
    45Кешбэк 6 баллов
    DB152SBRIDGE RECT 100V 1.5A DB-S
    50Кешбэк 7 баллов
    DB151SBRIDGE RECT 50V 1.5A DB-S
    50Кешбэк 7 баллов
    GBJ10J10A -600V - GBJ - BRIDGE
    123Кешбэк 18 баллов
    GBJ10MДиод: 10A -1000V - GBJ - BRIDGE
    154Кешбэк 23 балла
    GBJ10G10A -400V - GBJ - BRIDGE
    154Кешбэк 23 балла
    GBJ20J20A -600V - GBJ(5S) - BRIDGE
    154Кешбэк 23 балла
    GBPC100610A -600V - GBPC - BRIDGE
    189Кешбэк 28 баллов
    GBPC101010A -1000V - GBPC - BRIDGE
    196Кешбэк 29 баллов
    GBPC100410A -400V - GBPC - BRIDGE
    198Кешбэк 29 баллов
    KBPC2504Диод: 25 AMP BRIDGE RECTIFIER
    231Кешбэк 34 балла
    KBPC150215 AMP BRIDGE RECTIFIER
    243Кешбэк 36 баллов
    KBPC3500535 AMP BRIDGE RECTIFIER
    261Кешбэк 39 баллов
    KBPC25005Диод: 25 AMP BRIDGE RECTIFIER
    264Кешбэк 39 баллов
    KBPC3506Диод: 35 AMP BRIDGE RECTIFIER
    275Кешбэк 41 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП