Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
GBU8M-T

GBU8M-T

GBU8M-T
;
GBU8M-T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена GBU8M-T при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8M-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8M-T

GBU8M-T DIOTEC SEMICONDUCTOR Диод: 1PH BRIDGE GBU 1000V 8A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1000В
    • Номинальный ток: 8А
    • Количество диодов: 4
    • Тип: мостовая схема (1фаза)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективность передачи энергии
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует специального обслуживания при высокой температуре
  • Общее назначение:
    • Преобразование и регулирование напряжения
    • Защита электронных компонентов от обратного тока
    • Использование в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных инверторах
    • Системах управления приводами
    • Инверторах для домашнего использования
    • Электроприводах
    • Солнечных батареях и системах энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8M-T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5.6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

GBU8M-T.pdf
pdf. 0 kb
  • 554 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    109 ₽
  • 20
    81 ₽
  • 2500
    51 ₽
  • 10000
    50 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена GBU8M-T при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBU8M-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBU8M-T

GBU8M-T DIOTEC SEMICONDUCTOR Диод: 1PH BRIDGE GBU 1000V 8A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1000В
    • Номинальный ток: 8А
    • Количество диодов: 4
    • Тип: мостовая схема (1фаза)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Эффективность передачи энергии
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует специального обслуживания при высокой температуре
  • Общее назначение:
    • Преобразование и регулирование напряжения
    • Защита электронных компонентов от обратного тока
    • Использование в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных инверторах
    • Системах управления приводами
    • Инверторах для домашнего использования
    • Электроприводах
    • Солнечных батареях и системах энергоснабжения
Выбрано: Показать

Характеристики GBU8M-T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5.6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 8 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBU
  • Исполнение корпуса
    GBU

Техническая документация

GBU8M-T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории