GD02MPS12E

GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor Диод:

• Напряжение срабатывания: 1200В
• Ток: 2А
• Объемный корпус: TO-252-2
• Тип диода: Сикотткий (SCHOTTKY)
• Материал: SiC (Гектий)

Плюсы:

• Высокая частота работы
• Низкое напряжение срабатывания
• Малый тепловыделение
• Высокая ударная способность
• Высокая термостойкость

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
• Требуется специальное оборудование для производства и ремонта

Общее назначение:

• Использование в высоковольтных и высокочастотных приложениях
• Защита от обратного тока в источниках питания
• Работа в условиях высоких температур

Применяется в:

• Автомобильных системах питания
• Системах управления энергопотреблением
• Источниках питания
• Электроприводах
• Солнечных батареях