Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
GD30MPS12H
GD30MPS12H

GD30MPS12H

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    GD30MPS12H
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO-247-Все характеристики

Минимальная цена GD30MPS12H при покупке от 1 шт 1842.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GD30MPS12H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GD30MPS12H

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    55A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 30 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    1101pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-2
  • Исполнение корпуса
    TO-247-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
Техническая документация
 GD30MPS12H.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 466 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 842 ₽
  • 10
    1 598 ₽
  • 30
    1 498 ₽
  • 120
    1 434 ₽
  • 270
    1 414 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    GD30MPS12H
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO-247-Все характеристики

Минимальная цена GD30MPS12H при покупке от 1 шт 1842.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GD30MPS12H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GD30MPS12H

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    55A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 30 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    1101pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-2
  • Исполнение корпуса
    TO-247-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
Техническая документация
 GD30MPS12H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PMEG050T150EIPDAZDIODE SCHOTTKY 50V 15A CFP15
    225Кешбэк 33 балла
    BAS21TMQ-13DIODE GEN PURP 250V 250MA SOT26
    54Кешбэк 8 баллов
    SK110BDIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
    62Кешбэк 9 баллов
    GS1B_R1_00001Диод: SMA, GENERAL
    28Кешбэк 4 балла
    BAS20_R1_00001SOT-23, SWITCHING
    24.4Кешбэк 3 балла
    MURS120Диод: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
    56Кешбэк 8 баллов
    1N4148W RHGДиод: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123
    28Кешбэк 4 балла
    S1KHDIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
    54Кешбэк 8 баллов
    1SS119-14FSDIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING
    26.3Кешбэк 3 балла
    V10PM15-M3/HDIODE SCHOTTKY TMBS 10A 150V SMP
    131Кешбэк 19 баллов
    RBR5LAM30BTRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM
    176Кешбэк 26 баллов
    US5K-TP5A,800V, SUPER FAST RECOVERY REC
    92Кешбэк 13 баллов
    VS-8ETU04STRL-M3DIODE GEN PURP 400V 8A TO262
    207Кешбэк 31 балл
    1N6843CCU3SCHOTTKY RECTIFIER
    25 813Кешбэк 3 871 балл
    S12KCDIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
    163Кешбэк 24 балла
    RBR2LAM60BTFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    81Кешбэк 12 баллов
    RBR2MM30ATFTRDIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 2A-
    98Кешбэк 14 баллов
    US1MFL-TPДиод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC
    49Кешбэк 7 баллов
    BAS299-7FAST SWITCHING DIODE SOT23
    70Кешбэк 10 баллов
    HSS83TD-ERECTIFIER DIODE, 0.15A
    26.3Кешбэк 3 балла
    CUHS20F40,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, 40V/2A,
    71Кешбэк 10 баллов
    1N5408GHDIODE GEN PURP 3A DO201AD
    83Кешбэк 12 баллов
    PMEG3002ESFCYLPMEG3002ESF - 30V, 0.2A LOW VF M
    15Кешбэк 2 балла
    VS-60APH03L-N3DIODE GP 300V 60A TO247AD-3
    548Кешбэк 82 балла
    FR155GHDIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC
    66Кешбэк 9 баллов
    SMBD1078LT1SS SOT23 SWCH DIO SPCL
    5.6Кешбэк 1 балл
    CMR3U-02 TR13 PBFREEDIODE GEN PURP 200V 3A SMC
    469Кешбэк 70 баллов
    S1DFSDIODE, 1A, 200V, SOD-128
    53Кешбэк 7 баллов
    1N914BWS RRGDIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323
    18.8Кешбэк 2 балла
    WNSC12650WQДиод: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
    842Кешбэк 126 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП