Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Модули
GHXS010A060S-D3
  • В избранное
  • В сравнение
GHXS010A060S-D3

GHXS010A060S-D3

GHXS010A060S-D3
;
GHXS010A060S-D3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    SemiQ
  • Артикул:
    GHXS010A060S-D3
  • Описание:
    DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227Все характеристики

Минимальная цена GHXS010A060S-D3 при покупке от 1 шт 3643.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GHXS010A060S-D3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GHXS010A060S-D3

GHXS010A060S-D3 SemiQ DIODE SBD

  • Номинальное напряжение: 600В
  • Номинальный ток: 10А
  • Форм-фактор: SOT227
  • Тип: СБД (шоттки)

Плюсы:

  • Малая транзитная вольт-секунда
  • Низкий диодный вольт
  • Малые размеры
  • Высокая скорость перехода

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах
  • Отсутствие регулирования напряжения

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока
  • Разряд электролитических конденсаторов
  • Снижение пульсаций напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Мощные источники питания
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Инверторы
  • Электронные устройства с высокой скоростью перехода
Выбрано: Показать

Характеристики GHXS010A060S-D3

  • Конфигурация диода
    2 Independent
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 10 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 600 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Base Product Number
    GHXS010

Техническая документация

 GHXS010A060S-D3.pdf
pdf. 0 kb
  • 14 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 643 ₽
  • 10
    2 602 ₽
  • 100
    2 034 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    SemiQ
  • Артикул:
    GHXS010A060S-D3
  • Описание:
    DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227Все характеристики

Минимальная цена GHXS010A060S-D3 при покупке от 1 шт 3643.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GHXS010A060S-D3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GHXS010A060S-D3

GHXS010A060S-D3 SemiQ DIODE SBD

  • Номинальное напряжение: 600В
  • Номинальный ток: 10А
  • Форм-фактор: SOT227
  • Тип: СБД (шоттки)

Плюсы:

  • Малая транзитная вольт-секунда
  • Низкий диодный вольт
  • Малые размеры
  • Высокая скорость перехода

Минусы:

  • Высокие потери при больших токах
  • Отсутствие регулирования напряжения

Общее назначение:

  • Защита от обратного тока
  • Разряд электролитических конденсаторов
  • Снижение пульсаций напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Мощные источники питания
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Инверторы
  • Электронные устройства с высокой скоростью перехода
Выбрано: Показать

Характеристики GHXS010A060S-D3

  • Конфигурация диода
    2 Independent
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    10A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 10 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 600 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Base Product Number
    GHXS010

Техническая документация

 GHXS010A060S-D3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-HFA135NH40PBFDIODE GEN PURP 400V 275A HALFPAK
    5 909Кешбэк 886 баллов
    VS-T110HF120DIODE GEN PURP 1.2KV 110A D-55
    6 681Кешбэк 1 002 балла
    VS-VSKJ71/10DIODE GEN PURP 1KV 40A ADDAPAK
    7 116Кешбэк 1 067 баллов
    VS-VSKCS200/045DIODE SCHOTTKY 45V 100A ADDAPAK
    8 735Кешбэк 1 310 баллов
    VS-VSUD360CW40DIODE GEN PURP 400V 510A TO244
    8 856Кешбэк 1 328 баллов
    VS-220CNQ030PBFDIODE SCHOTTKY 30V 110A TO244
    9 167Кешбэк 1 375 баллов
    VS-VSKCS400/045DIODE SCHOTTKY 45V 200A ADDAPAK
    9 943Кешбэк 1 491 балл
    VS-HFA90FA120DIODE HEXFRED 45A 1200V SOT-227
    10 133Кешбэк 1 519 баллов
    VS-VSUD400CW20DIODE GEN PURP 200V 330A TO244
    10 792Кешбэк 1 618 баллов
    VS-409CNQ150PBFDIODE MODULE 150V 400A TO244
    10 797Кешбэк 1 619 баллов
    VS-HFA140FA120DIODE MODULE 1.2KV 70A SOT227
    10 925Кешбэк 1 638 баллов
    M5060THC600DIODE MODULE 600V 60A
    12 012Кешбэк 1 801 балл
    M5060THA1200DIODE MODULE 1.2KV 60A
    14 530Кешбэк 2 179 баллов
    F1827D600DIODE GEN PURP 600V 25A MODULE
    18 228Кешбэк 2 734 балла
    F1827D1600DIODE GEN PURP 1.6KV 25A MODULE
    18 858Кешбэк 2 828 баллов
    F1857CCD1600DIODE MODULE 1.6KV 55A
    22 832Кешбэк 3 424 балла
    F1827CCD1600DIODE MODULE 1.6KV 25A
    35 015Кешбэк 5 252 балла
    F1827CAD1600DIODE MODULE 1.6KV 25A
    35 015Кешбэк 5 252 балла
    F1857CCD1200DIODE MODULE 1.2KV 55A
    41 738Кешбэк 6 260 баллов
    GHXS010A060S-D3DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
    3 643Кешбэк 546 баллов
    GHXS020A060S-D3Диод: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
    4 112Кешбэк 616 баллов
    GSXD080A004S1-D3DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
    6 902Кешбэк 1 035 баллов
    GSXD100A004S1-D3DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227
    7 122Кешбэк 1 068 баллов
    GSXF100A120S1-D3DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227
    7 560Кешбэк 1 134 балла
    GSXD120A020S1-D3DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
    7 647Кешбэк 1 147 баллов
    GSXD160A010S1-D3DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
    8 420Кешбэк 1 263 балла
    MURH10060DIODE GEN PURP 600V 100A D-67
    6 588Кешбэк 988 баллов
    MURH10060RDIODE GEN PURP 600V 100A D-67
    6 588Кешбэк 988 баллов
    MBRT120100DIODE MODULE 100V 60A 3TOWER
    8 501Кешбэк 1 275 баллов
    MBRT120100RDIODE MODULE 100V 60A 3TOWER
    8 501Кешбэк 1 275 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП