Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GSIB2580N-M3/45
  • В избранное
  • В сравнение
GSIB2580N-M3/45

GSIB2580N-M3/45

GSIB2580N-M3/45
;
GSIB2580N-M3/45

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GSIB2580N-M3/45
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5SВсе характеристики

Минимальная цена GSIB2580N-M3/45 при покупке от 1 шт 874.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GSIB2580N-M3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GSIB2580N-M3/45

GSIB2580N-M3/45 Vishay General Semiconductor Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S

  • Основные параметры:
    • Мощность: 25 A
    • Напряжение: 800 V
    • Конфигурация: мостовой диод
    • Количество шин: 1
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Высокая токовая способность
    • Долговечность и надежность
    • Экономичность
  • Минусы:
    • Высокие требования к теплоотводу
    • Необходимость использования в паре для достижения максимальной токовой способности
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Регулировка напряжения в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Системы управления электропитанием
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Стабилизаторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики GSIB2580N-M3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    25 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GSIB-5S
  • Исполнение корпуса
    GSIB-5S
  • Base Product Number
    GSIB2580

Техническая документация

 GSIB2580N-M3/45.pdf
pdf. 0 kb
  • 781 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    874 ₽
  • 10
    519 ₽
  • 100
    411 ₽
  • 500
    339 ₽
  • 1200
    315 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GSIB2580N-M3/45
  • Описание:
    Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5SВсе характеристики

Минимальная цена GSIB2580N-M3/45 при покупке от 1 шт 874.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GSIB2580N-M3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GSIB2580N-M3/45

GSIB2580N-M3/45 Vishay General Semiconductor Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S

  • Основные параметры:
    • Мощность: 25 A
    • Напряжение: 800 V
    • Конфигурация: мостовой диод
    • Количество шин: 1
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Высокая токовая способность
    • Долговечность и надежность
    • Экономичность
  • Минусы:
    • Высокие требования к теплоотводу
    • Необходимость использования в паре для достижения максимальной токовой способности
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Регулировка напряжения в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Системы управления электропитанием
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Стабилизаторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики GSIB2580N-M3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    25 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GSIB-5S
  • Исполнение корпуса
    GSIB-5S
  • Base Product Number
    GSIB2580

Техническая документация

 GSIB2580N-M3/45.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF06S-TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DF-S
    115Кешбэк 17 баллов
    DF02S-TBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
    117Кешбэк 17 баллов
    DF04S-TBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF1502S-TBRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DF-S
    120Кешбэк 18 баллов
    DF1510S-TДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DF-S
    127Кешбэк 19 баллов
    SDA006-7BRIDGE RECT 3P 75V 215MA SOT363
    130Кешбэк 19 баллов
    DF10MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM
    132Кешбэк 19 баллов
    DF1504S-TBRIDGE RECT 1P 400V 1.5A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800KV 1A DFM
    133Кешбэк 19 баллов
    DF08S-TBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
    133Кешбэк 19 баллов
    KBP201GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    134Кешбэк 20 баллов
    DF15005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    137Кешбэк 20 баллов
    KBP01GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP02GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    KBP005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A KBP
    138Кешбэк 20 баллов
    DF1501S-TBRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DF-S
    141Кешбэк 21 балл
    DF10S-TBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
    142Кешбэк 21 балл
    KBP04GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP
    143Кешбэк 21 балл
    KBP06GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP
    152Кешбэк 22 балла
    KBP08GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP
    156Кешбэк 23 балла
    DF1506S-TBRIDGE RECT 1P 600V 1.5A DF-S
    161Кешбэк 24 балла
    SBR05M60BLP-7BRIDGE RECT 1P 60V 500MA DFN3030
    161Кешбэк 24 балла
    DF1508S-TBRIDGE RECT 1P 800V 1.5A DF-S
    170Кешбэк 25 баллов
    KBP10GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A KBP
    185Кешбэк 27 баллов
    RH06-TBRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4-DIP
    200Кешбэк 30 баллов
    RH04-TBRIDGE RECT 1P 400V 500MA 4-DIP
    217Кешбэк 32 балла
    DF02SBRIDGE RECT 1PHASE 200KV 1A DFS
    233Кешбэк 34 балла
    DF15005SBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    241Кешбэк 36 баллов
    KBJ408GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBJ
    246Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП