Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
GSIB680-E3/45
  • В избранное
  • В сравнение
GSIB680-E3/45

GSIB680-E3/45

GSIB680-E3/45
;
GSIB680-E3/45

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    GSIB680-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5SВсе характеристики

Минимальная цена GSIB680-E3/45 при покупке от 1 шт 589.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GSIB680-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GSIB680-E3/45

GSIB680-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S

  • Основные параметры:
    • Вольтаж срабатывания: 800В
    • Максимальный ток: 2.8А
    • Количество диодов: 1П (один параллельный)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Экономичное использование энергии
    • Простота интеграции в электронные устройства
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Минусы:
    • Высокие требования к тепловым дизайнерским решениям
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от обратного тока
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Использование в источниках питания
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Работа в сетях с низким коэффициентом мощности
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мощные преобразователи
    • Системы управления освещением
    • Электроприводы и приводы
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики GSIB680-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2.8 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    950 mV @ 3 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GSIB-5S
  • Исполнение корпуса
    GSIB-5S
  • Base Product Number
    GSIB680

Техническая документация

 GSIB680-E3/45.pdf
pdf. 0 kb
  • 386 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    589 ₽
  • 20
    334 ₽
  • 100
    265 ₽
  • 500
    213 ₽
  • 1000
    199 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    GSIB680-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5SВсе характеристики

Минимальная цена GSIB680-E3/45 при покупке от 1 шт 589.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GSIB680-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GSIB680-E3/45

GSIB680-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1P 800V 2.8A GSIB-5S

  • Основные параметры:
    • Вольтаж срабатывания: 800В
    • Максимальный ток: 2.8А
    • Количество диодов: 1П (один параллельный)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Экономичное использование энергии
    • Простота интеграции в электронные устройства
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Минусы:
    • Высокие требования к тепловым дизайнерским решениям
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от обратного тока
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Использование в источниках питания
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Работа в сетях с низким коэффициентом мощности
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мощные преобразователи
    • Системы управления освещением
    • Электроприводы и приводы
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики GSIB680-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2.8 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    950 mV @ 3 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GSIB-5S
  • Исполнение корпуса
    GSIB-5S
  • Base Product Number
    GSIB680

Техническая документация

 GSIB680-E3/45.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    KBPC1506WBRIDGE RECT 1P 600V 15A KBPC-W
    276Кешбэк 41 балл
    KBPC5006WBRIDGE RECT 1P 600V 50A KBPC-W
    276Кешбэк 41 балл
    KBPC2504WДиод: BRIDGE RECT 1P 400V 25A KBPC-W
    254Кешбэк 38 баллов
    KBPC2506WДиод: BRIDGE RECT 1P 600V 25A KBPC-W
    258Кешбэк 38 баллов
    MB156BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A MB
    258Кешбэк 38 баллов
    KBPC2502WДиод: BRIDGE RECT 1P 200V 25A KBPC-W
    261Кешбэк 39 баллов
    KBPC2508WBRIDGE RECT 1P 800V 25A KBPC-W
    258Кешбэк 38 баллов
    KBPC1508WBRIDGE RECT 1P 800V 15A KBPC-W
    258Кешбэк 38 баллов
    GBPC3510Диод: BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    265Кешбэк 39 баллов
    GBPC3508WДиод: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
    265Кешбэк 39 баллов
    KBPC1504WBRIDGE RECT 1P 400V 15A KBPC-W
    283Кешбэк 42 балла
    GBPC2508BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC
    261Кешбэк 39 баллов
    KBPC3504WДиод: BRIDGE RECT 1P 400V 35A KBPC-W
    261Кешбэк 39 баллов
    GBU10MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
    148Кешбэк 22 балла
    KBPC1510WBRIDGE RECT 1P 1KV 15A KBPC-W
    261Кешбэк 39 баллов
    GBPC3508Диод: BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    258Кешбэк 38 баллов
    GBU10KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
    148Кешбэк 22 балла
    GBPC2508WBRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
    254Кешбэк 38 баллов
    GBPC3504BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    293Кешбэк 43 балла
    GBPC1504WBRIDGE RECT 1P 400V 15A GBPC-W
    243Кешбэк 36 баллов
    GBPC2510WДиод: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
    248Кешбэк 37 баллов
    GBPC3502BRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBPC
    278Кешбэк 41 балл
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    148Кешбэк 22 балла
    GBPC5010WДиод: BRIDGE RECT 1P 1KV 50A GBPC-W
    356Кешбэк 53 балла
    GBU10BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
    144Кешбэк 21 балл
    KBPC25005WДиод: BRIDGE RECT 1P 50V 25A KBPC-W
    278Кешбэк 41 балл
    MB258WBRIDGE RECT 1P 800V 25A MB-35W
    282Кешбэк 42 балла
    GBU10DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBU
    144Кешбэк 21 балл
    MB251BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A MB
    254Кешбэк 38 баллов
    GBPC2510BRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
    261Кешбэк 39 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП