Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
GT060N04D3
GT060N04D3

GT060N04D3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Goford Semiconductor
  • Артикул:
    GT060N04D3
  • Описание:
    N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10Все характеристики

Минимальная цена GT060N04D3 при покупке от 1 шт 193.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT060N04D3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GT060N04D3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25&#176;C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1282 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    36W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (3.15x3.05)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
Техническая документация
 GT060N04D3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 8387 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    193 ₽
  • 10
    121 ₽
  • 500
    61 ₽
  • 2000
    50 ₽
  • 10000
    42 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Goford Semiconductor
  • Артикул:
    GT060N04D3
  • Описание:
    N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10Все характеристики

Минимальная цена GT060N04D3 при покупке от 1 шт 193.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT060N04D3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GT060N04D3

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25&#176;C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1282 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    36W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-DFN (3.15x3.05)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
Техническая документация
 GT060N04D3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQ3457EV-T1_GE3MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
    87Кешбэк 13 баллов
    FCH041N65F-F085MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
    1 783Кешбэк 267 баллов
    IPD90N06S4L05ATMA2MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
    294Кешбэк 44 балла
    SISS22LDN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
    258Кешбэк 38 баллов
    IRF100P219AKMA1MOSFET N-CH 100V TO247AC
    829Кешбэк 124 балла
    DMTH3002LPS-13MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
    194Кешбэк 29 баллов
    IPD18DP10LMATMA1TRENCH >=100V PG-TO252-3
    340Кешбэк 51 балл
    IPD50R650CEAUMA1MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
    202Кешбэк 30 баллов
    UF3C170400K3SSICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
    1 661Кешбэк 249 баллов
    IPU95R750P7AKMA1MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
    282Кешбэк 42 балла
    IPA60R180P7SXKSA1MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
    191Кешбэк 28 баллов
    DMP2006UFGQ-7MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
    245Кешбэк 36 баллов
    IPA050N10NM5SXKSA1MOSFET N-CH 100V 66A TO220
    700Кешбэк 105 баллов
    FDD5N53TMN-CHANNEL POWER MOSFET
    95Кешбэк 14 баллов
    2SK2515-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    843Кешбэк 126 баллов
    NVTFS6H850NWFTAGMOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
    262Кешбэк 39 баллов
    ISL9N312AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    231Кешбэк 34 балла
    SQ4153EY-T1_GE3MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
    316Кешбэк 47 баллов
    C3M0015065KSICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
    9 891Кешбэк 1 483 балла
    IPU80R2K0P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
    233Кешбэк 34 балла
    NVMYS2D2N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
    538Кешбэк 80 баллов
    IXTT1N300P3HVMOSFET N-CH 3000V 1A TO268
    6 420Кешбэк 963 балла
    APT40M70JVRMOSFET N-CH 400V 53A SOT227
    7 988Кешбэк 1 198 баллов
    DMT10H009LCG-7MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
    300Кешбэк 45 баллов
    2SK4096LS-1EN-CHANNEL POWER MOSFET
    305Кешбэк 45 баллов
    IPS80R1K2P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
    134Кешбэк 20 баллов
    5N20AN200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
    34Кешбэк 5 баллов
    PSMN2R0-40YLDXMOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
    582Кешбэк 87 баллов
    AOB2904MOSFET N-CH 100V 120A TO263
    282Кешбэк 42 балла
    RQ6E035SPTRMOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
    116Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП