GT20N135SRA,S1E

Основные параметры:

• Маркировка: GT20N135SRA, S1E
• Производитель: Toshiba
• Тип: Транзистор D-IGBT
• Пакет: TO-247
• VCES (максимальное напряжение между коллектором и эмиттером): 1350В
• IC (максимальный ток провода): 40А

Плюсы:

• Высокая надежность и долговечность благодаря использованию инновационных технологий производства.
• Высокое значение VCES обеспечивает широкий диапазон применения.
• Мощность и стабильность работы при больших токах.
• Экономичное использование энергии.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
• Требуют специального охлаждения из-за высоких рабочих температур.
• Требуют внимания к правильной установке и подключению для предотвращения повреждений.

Общее назначение:

• Используется в промышленных и бытовых приборах.
• Применяется в системах управления двигателей.
• Способствует улучшению энергоэффективности электронных устройств.
• Подходит для высоковольтных и высокоточных приложений.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильная электроника.
• Промышленные преобразователи.
• Бытовые приборы с мощными двигателями.
• Системы управления электродвигателями.