Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
GT20N135SRA,S1E
  • В избранное
  • В сравнение
GT20N135SRA,S1E

GT20N135SRA,S1E

GT20N135SRA,S1E
;
GT20N135SRA,S1E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    GT20N135SRA,S1E
  • Описание:
    Транзистор: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40AВсе характеристики

Минимальная цена GT20N135SRA,S1E при покупке от 1 шт 713.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT20N135SRA,S1E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GT20N135SRA,S1E

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    80 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    312 W
  • Энергия переключения
    -, 700µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    185 nC
  • Условие испытаний
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247

Техническая документация

 GT20N135SRA,S1E.pdf
pdf. 0 kb
  • 57 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    713 ₽
  • 10
    487 ₽
  • 120
    408 ₽
  • 510
    396 ₽
  • 1020
    385 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    GT20N135SRA,S1E
  • Описание:
    Транзистор: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40AВсе характеристики

Минимальная цена GT20N135SRA,S1E при покупке от 1 шт 713.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT20N135SRA,S1E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GT20N135SRA,S1E

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    80 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    312 W
  • Энергия переключения
    -, 700µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    185 nC
  • Условие испытаний
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247

Техническая документация

 GT20N135SRA,S1E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGTH50TK65GC11Транзистор: IGBT
    613Кешбэк 91 балл
    RGW60TK65GVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 123Кешбэк 168 баллов
    IGTH20N40ADТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    585Кешбэк 87 баллов
    RGTH50TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 271Кешбэк 190 баллов
    IGB20N60H3ATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAK
    417Кешбэк 62 балла
    RGTH40TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 221Кешбэк 183 балла
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    597Кешбэк 89 баллов
    FGY60T120SQDNТранзистор: IGBT 1200V 60A UFS
    2 216Кешбэк 332 балла
    RGS00TS65HRC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    1 152Кешбэк 172 балла
    RGTVX6TS65DGC11Транзистор: IGBT
    1 869Кешбэк 280 баллов
    FGHL50T65MQDТранзистор: IGBT 650V 50A TO247
    1 060Кешбэк 159 баллов
    RGTH60TK65GC11Транзистор: IGBT
    1 089Кешбэк 163 балла
    RGS50TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 266Кешбэк 189 баллов
    RGW00TK65DGVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 538Кешбэк 230 баллов
    FGH75T65SQDT-F155Транзистор: 650V 75A FS4 TRENCH IGBT
    1 323Кешбэк 198 баллов
    RGS60TS65DHRC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    1 149Кешбэк 172 балла
    IXYH10N170CV1Транзистор: IGBT 1.7KV 36A TO247
    2 675Кешбэк 401 балл
    STGWA50IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
    786Кешбэк 117 баллов
    FGHL75T65LQDTТранзистор: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
    1 517Кешбэк 227 баллов
    IGB20N65S5ATMA1Транзистор: IGBT PRODUCTS
    426Кешбэк 63 балла
    RGS50TSX2DHRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 716Кешбэк 257 баллов
    RGTH60TK65DGC11Транзистор: IGBT
    689Кешбэк 103 балла
    IKW40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 075Кешбэк 161 балл
    HGT1S12N60B3DТранзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    308Кешбэк 46 баллов
    IKA08N65ET6XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    543Кешбэк 81 балл
    AUIRGF66524D0-IRТранзистор: IGBT
    917Кешбэк 137 баллов
    RGCL80TS60GC11Транзистор: IGBT
    528Кешбэк 79 баллов
    RGSX5TS65EHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    2 184Кешбэк 327 баллов
    RGS50TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 708Кешбэк 256 баллов
    RGTVX2TS65GC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП