GT30J121(Q)

Транзистор GT30J121(Q) от Toshiba – это IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для работы с высоким напряжением и током.

• Основные параметры:
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 600V
• Ток коллектора (Ic): 30A
• Мощность коллектора (Pc): 170W
• Корпус: TO3PN
• Тип: N-канальный

Плюсы:

• Высокая эффективность благодаря биполярной структуре IGBT.
• Простота управления, так как требуется небольшой ток затвора.
• Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам.
• Быстрое переключение.

Минусы:

• Более высокая цена по сравнению с обычными биполярными транзисторами или MOSFET.
• Чувствительность к перенапряжениям и требует защиты затвора.

Общее назначение:

GT30J121(Q) используется в качестве силового ключа в различных преобразователях мощности, где требуется высокая эффективность и надежность.

Применение:

• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Стабилизаторы напряжения
• Системы управления двигателями
• Индукционный нагрев
• Сварочное оборудование