GT40QR21(STA1,E,D

Маркировка GT40QR21(STA1,E,D) указывает на следующие характеристики:

• Производитель: Toshiba
• Тип: Транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Форм-фактор: TO-3PN

Основные параметры:

• Рейтингный ток: 40 А
• Рейтингное напряжение: 1200 В
• Коэффициент усиления: 500

Плюсы:

• Высокая эффективность при работе с переменным током
• Малый дроссельный потенциал
• Высокая надежность благодаря использованию интегрированного изолятора

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Ограниченная термостойкость при высоких температурах

Общее назначение:

• Применяется в: электропитании, приводах, системах управления
• Возможные применения: в промышленных системах автоматизации, в транспортных средствах, в энергосберегающих устройствах