Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT транзисторы
GT50N322A
  • В избранное
  • В сравнение
GT50N322A

GT50N322A

GT50N322A
;
GT50N322A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    GT50N322A
  • Описание:
    Транзистор: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN ICВсе характеристики

Минимальная цена GT50N322A при покупке от 1 шт 1001.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT50N322A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GT50N322A

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Марка: GT50N322A
      • Производитель: Toshiba
      • Тип: IGBT / TRANSISTOR
      • Количество обмоток: 1
      • Форма корпуса: TO-3PN IC
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность при работе
      • Устойчивость к перегрузкам
      • Малый тепловой напряженность
      • Высокая скорость переключения
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
      • Необходимость использования специального оборудования для монтажа
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных и высокоточных электронных устройствах
      • Для управления мощными нагрузками
      • В промышленной автоматике и приводах
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильная электроника
      • Промышленное оборудование
      • Системы управления двигателей
      • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики GT50N322A

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Рассеивание мощности
    156 W
  • Тип входа
    Standard
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    800 ns
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P(N)

Техническая документация

 GT50N322A.pdf
pdf. 0 kb
  • 6 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 001 ₽
  • 10
    562 ₽
  • 100
    510 ₽
  • 500
    481 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    GT50N322A
  • Описание:
    Транзистор: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN ICВсе характеристики

Минимальная цена GT50N322A при покупке от 1 шт 1001.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT50N322A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GT50N322A

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Марка: GT50N322A
      • Производитель: Toshiba
      • Тип: IGBT / TRANSISTOR
      • Количество обмоток: 1
      • Форма корпуса: TO-3PN IC
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность при работе
      • Устойчивость к перегрузкам
      • Малый тепловой напряженность
      • Высокая скорость переключения
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
      • Необходимость использования специального оборудования для монтажа
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных и высокоточных электронных устройствах
      • Для управления мощными нагрузками
      • В промышленной автоматике и приводах
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильная электроника
      • Промышленное оборудование
      • Системы управления двигателей
      • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики GT50N322A

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Рассеивание мощности
    156 W
  • Тип входа
    Standard
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    800 ns
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P(N)

Техническая документация

 GT50N322A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DGTD120T25S1PTТранзистор: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
    1 562Кешбэк 234 балла
    HGTP7N60A4_NLТранзистор: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
    169Кешбэк 25 баллов
    HGTP20N35G3VLТранзистор: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL
    325Кешбэк 48 баллов
    FGPF70N30TRDTUТранзистор: 300V, 70A PDP IGBT
    327Кешбэк 49 баллов
    FGD3040G2-F085FGD3040G2_F085 - ECOSPARK2 IGN-I
    492Кешбэк 73 балла
    IRGSL15B60KDPBFТранзистор: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    335Кешбэк 50 баллов
    IRGIB4630DPBFТранзистор: IGBT WITH RECOVERY DIODE
    350Кешбэк 52 балла
    AUIRGP66524D0-IRТранзистор: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
    936Кешбэк 140 баллов
    AUIRGF66524D0-IRТранзистор: IGBT
    953Кешбэк 142 балла
    AUIRGP65A40D0Транзистор: IGBT DESCRETE SWITCH
    1 138Кешбэк 170 баллов
    AUIRGP4062DТранзистор: IGBT 600V 48A TO247AC
    1 182Кешбэк 177 баллов
    AUIRGPS4070D0Транзистор: AUIRGPS4070D0 - AUTOMOTIVE IGBT
    2 542Кешбэк 381 балл
    AUIRG4BC30U-SТранзистор: IGBT 600V 23A 100W D2PAK
    2 626Кешбэк 393 балла
    HGTP3N60C3Транзистор: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    146Кешбэк 21 балл
    HGTP3N60B3Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    146Кешбэк 21 балл
    HGTP3N60B3R4724Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    146Кешбэк 21 балл
    HGTP6N40E1DТранзистор: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    200Кешбэк 30 баллов
    HGTP6N40EIDТранзистор: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    200Кешбэк 30 баллов
    HGTP7N60C3Транзистор: 14A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL
    216Кешбэк 32 балла
    IGTP10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    239Кешбэк 35 баллов
    IGTP10N40AТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    245Кешбэк 36 баллов
    HGTP10N40F1DТранзистор: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    270Кешбэк 40 баллов
    HGT1S12N60C3RТранзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    306Кешбэк 45 баллов
    HGTP10N40C1Транзистор: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    329Кешбэк 49 баллов
    HGTP10N40E1Транзистор: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    329Кешбэк 49 баллов
    IGT5E10CSТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    335Кешбэк 50 баллов
    IGTM10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    345Кешбэк 51 балл
    HGTP10N40EIDТранзистор: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    345Кешбэк 51 балл
    IGTM10N40AТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    354Кешбэк 53 балла
    HGTP12N60C3RТранзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    356Кешбэк 53 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП