Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
GT50N322A
  • В избранное
  • В сравнение
GT50N322A

GT50N322A

GT50N322A
;
GT50N322A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    GT50N322A
  • Описание:
    Транзистор: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN ICВсе характеристики

Минимальная цена GT50N322A при покупке от 1 шт 1017.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT50N322A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GT50N322A

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Рассеивание мощности
    156 W
  • Тип входа
    Standard
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    800 ns
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P(N)

Техническая документация

 GT50N322A.pdf
pdf. 0 kb
  • 6 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 017 ₽
  • 10
    541 ₽
  • 100
    489 ₽
  • 500
    409 ₽
  • 1000
    404 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    GT50N322A
  • Описание:
    Транзистор: PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN ICВсе характеристики

Минимальная цена GT50N322A при покупке от 1 шт 1017.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT50N322A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GT50N322A

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Рассеивание мощности
    156 W
  • Тип входа
    Standard
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    800 ns
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Исполнение корпуса
    TO-3P(N)

Техническая документация

 GT50N322A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FGD2736G3-F085VТранзистор: IGBT ECOSPARK1 IGN TO252
    176Кешбэк 26 баллов
    ISL9V5045S3ST-F085CТранзистор: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
    628Кешбэк 94 балла
    NGTB50N65FL2WAGТранзистор: IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247
    535Кешбэк 80 баллов
    SGF80N60UFTU-ONТранзистор: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
    904Кешбэк 135 баллов
    ISL9V3040D3ST-F085CТранзистор: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252
    482Кешбэк 72 балла
    FGD3040G2-F085CТранзистор: ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252
    380Кешбэк 57 баллов
    AFGHL40T65SPDТранзистор: FS3 T TO247 40A 650V AUTO
    810Кешбэк 121 балл
    FGD3325G2-F085VТранзистор: ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N
    511Кешбэк 76 баллов
    NGTB40N120L3WGТранзистор: IGBT 1200V 160A TO247
    4 941Кешбэк 741 балл
    ISL9V5036P3-F085IGBT 390V 46A TO220-3
    997Кешбэк 149 баллов
    FGH40T65SHD-F155IGBT, 80A, 650V, N-CHANNEL, TO-2
    900Кешбэк 135 баллов
    NGTB40N120FL3WGТранзистор: IGBT 1200V 160A TO247
    1 230Кешбэк 184 балла
    FGB20N60SFD-F085IGBT FIELD STOP 600V 40A D2PAK
    1 023Кешбэк 153 балла
    FGB3040G2-F085CТранзистор: ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263
    671Кешбэк 100 баллов
    AFGHL50T65SQDТранзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
    1 041Кешбэк 156 баллов
    STP8057Транзистор: IGBT T0220 SPCL 400V
    272Кешбэк 40 баллов
    FGD3040G2-F085VТранзистор: ECOSPARK2 300MJ 400V N-
    306Кешбэк 45 баллов
    FGH40T65UQDF-F155Транзистор: FS4TIGBT TO247 40A 650V
    480Кешбэк 72 балла
    MGW14N60EDТранзистор: IGBT, 18A, 600V, N-CHANNEL
    370Кешбэк 55 баллов
    FGP3440G2-F085ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
    882Кешбэк 132 балла
    FGH75T65SQD-F155Транзистор: IGBT 650V 150A 375W TO247
    1 308Кешбэк 196 баллов
    AFGB40T65SQDNТранзистор: 650V/40A FS4 IGBT TO263 A
    1 120Кешбэк 168 баллов
    FGB40T65SPD-F085Транзистор: IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK
    1 024Кешбэк 153 балла
    AFGB30T65SQDNТранзистор: 650V/30A FS4 IGBT TO263 A
    1 032Кешбэк 154 балла
    FGB3040G2-F085IGBT 400V 41A TO263
    556Кешбэк 83 балла
    MGB20N36CLТранзистор: IGBT D2PAK 360V CL
    345Кешбэк 51 балл
    FGB3056-F085Транзистор: ECOSPARK IGNITION IGBT
    391Кешбэк 58 баллов
    FGB3236-F085IGBT, 360V, 27A, ECOSPARK II, N-
    965Кешбэк 144 балла
    FGHL40T65MQDТранзистор: IGBT 650V 40A TO247
    958Кешбэк 143 балла
    MGW12N120DТранзистор: TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A
    585Кешбэк 87 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП