Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
GTRA384802FC-V1-R0
  • В избранное
  • В сравнение
GTRA384802FC-V1-R0

GTRA384802FC-V1-R0

GTRA384802FC-V1-R0
;
GTRA384802FC-V1-R0

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    GTRA384802FC-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZВсе характеристики

Минимальная цена GTRA384802FC-V1-R0 при покупке от 1 шт 55806.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTRA384802FC-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GTRA384802FC-V1-R0

Основные параметры:

  • Маркировка: GTRA384802FC-V1-R0
  • Производитель: Wolfspeed
  • Тип: Гетероструктурный полупроводниковый транзистор (HEMT)
  • Материал: Ганель (GaN)
  • Номинальное напряжение: 48В
  • Мощность: 480Вт
  • Частота: 3800МГц

Плюсы:

  • Высокая частота работы: Подходит для применения в высокочастотных системах.
  • Высокая мощность: Может выдерживать значительные нагрузки.
  • Низкое сопротивление: Улучшает передачу энергии.
  • Устойчивость к теплу: Высокая термическая стабильность.
  • Энергоэффективность: Минимизация потерь энергии.

Минусы:

  • Высокая стоимость: Производство и приобретение таких компонентов могут быть дорогими.
  • Требуют специального оборудования: Для их работы нужен специальный нагревательный элемент и система охлаждения.
  • Сложность в проектировании: Требует глубоких знаний в области радиоэлектроники и теплопроводности.

Общее назначение:

  • Беспроводные системы: Используется в антеннах и радиоэлектронных устройствах.
  • Питание: В системах бытовой автоматизации и управления.
  • Автомобильная электроника: В системах управления двигателем и зарядных устройствах.
  • Инверторы: Для преобразования напряжения в различных приложениях.
Выбрано: Показать

Характеристики GTRA384802FC-V1-R0

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    3.6GHz ~ 3.8GHz
  • Усиление
    13.7dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
  • Тестовый ток
    250 mA
  • Мощность передачи
    63W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Base Product Number
    GTRA384802

Техническая документация

 GTRA384802FC-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb
  • 50 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    55 806 ₽
  • 10
    39 352 ₽
  • 50
    39 352 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    GTRA384802FC-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZВсе характеристики

Минимальная цена GTRA384802FC-V1-R0 при покупке от 1 шт 55806.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTRA384802FC-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GTRA384802FC-V1-R0

Основные параметры:

  • Маркировка: GTRA384802FC-V1-R0
  • Производитель: Wolfspeed
  • Тип: Гетероструктурный полупроводниковый транзистор (HEMT)
  • Материал: Ганель (GaN)
  • Номинальное напряжение: 48В
  • Мощность: 480Вт
  • Частота: 3800МГц

Плюсы:

  • Высокая частота работы: Подходит для применения в высокочастотных системах.
  • Высокая мощность: Может выдерживать значительные нагрузки.
  • Низкое сопротивление: Улучшает передачу энергии.
  • Устойчивость к теплу: Высокая термическая стабильность.
  • Энергоэффективность: Минимизация потерь энергии.

Минусы:

  • Высокая стоимость: Производство и приобретение таких компонентов могут быть дорогими.
  • Требуют специального оборудования: Для их работы нужен специальный нагревательный элемент и система охлаждения.
  • Сложность в проектировании: Требует глубоких знаний в области радиоэлектроники и теплопроводности.

Общее назначение:

  • Беспроводные системы: Используется в антеннах и радиоэлектронных устройствах.
  • Питание: В системах бытовой автоматизации и управления.
  • Автомобильная электроника: В системах управления двигателем и зарядных устройствах.
  • Инверторы: Для преобразования напряжения в различных приложениях.
Выбрано: Показать

Характеристики GTRA384802FC-V1-R0

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    3.6GHz ~ 3.8GHz
  • Усиление
    13.7dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
  • Тестовый ток
    250 mA
  • Мощность передачи
    63W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Base Product Number
    GTRA384802

Техническая документация

 GTRA384802FC-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF989UТранзистор: BLF989/SOT539/TRAY
    44 753Кешбэк 6 712 баллов
    BLF888B,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    46 508Кешбэк 6 976 баллов
    BLF888BS,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539B
    46 508Кешбэк 6 976 баллов
    CLF1G0035-50HТранзистор: CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF
    47 764Кешбэк 7 164 балла
    ART1K6FHUТранзистор: ART1K6FH/SOT539/TRAY
    47 923Кешбэк 7 188 баллов
    BLF989EUТранзистор: BLF989E/SOT539/TRAY
    48 939Кешбэк 7 340 баллов
    BLF189XRBSUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    50 271Кешбэк 7 540 баллов
    BLF978PUТранзистор: BLF978P/SOT539/TRAY
    50 989Кешбэк 7 648 баллов
    ART2K0FESUТранзистор: ART2K0FES/SOT539/TRAY
    51 736Кешбэк 7 760 баллов
    BLS7G2325L-105,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
    51 958Кешбэк 7 793 балла
    BLL9G1214L-600UТранзистор: BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
    55 843Кешбэк 8 376 баллов
    BLL9G1214LS-600UТранзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
    55 843Кешбэк 8 376 баллов
    BLS9G3135LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    58 375Кешбэк 8 756 баллов
    BLF189XRAUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    60 552Кешбэк 9 082 балла
    BLF189XRASUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    60 666Кешбэк 9 099 баллов
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    64 178Кешбэк 9 626 баллов
    BLF898UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
    64 178Кешбэк 9 626 баллов
    BLS9G2731L-400Транзистор: RF FET
    68 066Кешбэк 10 209 баллов
    BLS9G2731LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    68 066Кешбэк 10 209 баллов
    BLS9G3135L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    68 676Кешбэк 10 301 балл
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    68 840Кешбэк 10 326 баллов
    BLF888ESUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B
    71 902Кешбэк 10 785 баллов
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    82 378Кешбэк 12 356 баллов
    BLF578XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    84 886Кешбэк 12 732 балла
    BLA8H0910L-500UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A
    107 874Кешбэк 16 181 балл
    BLA9H0912L-1200PUТранзистор: BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
    118 757Кешбэк 17 813 баллов
    ON5233,118Транзистор: ON5233 - RF MOSFET
    116Кешбэк 17 баллов
    AFM906NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN
    705Кешбэк 105 баллов
    A2T27S007NT1Транзистор: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    1 130Кешбэк 169 баллов
    MRF24300NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 32V OM780-2
    3 647Кешбэк 547 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП