Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
GTVA101K42EV-V1-R0
  • В избранное
  • В сравнение
GTVA101K42EV-V1-R0

GTVA101K42EV-V1-R0

GTVA101K42EV-V1-R0
;
GTVA101K42EV-V1-R0

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    GTVA101K42EV-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZВсе характеристики

Минимальная цена GTVA101K42EV-V1-R0 при покупке от 1 шт 375059.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTVA101K42EV-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GTVA101K42EV-V1-R0

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: GTVA101K42EV-V1-R0
      • Производитель: MACOM Technology Solutions
      • Тип: Гетероенструальный транзистор (HEMT) на базе галлия азотиды (GAN)
      • Напряжение блокировки: 50В
      • Мощность: 1400Вт
      • Частота работы: 0.96-1.4ГГц
    • Плюсы:
      • Высокая мощность и частота работы
      • Устойчивость к высоким температурам
      • Высокое качество сигнала благодаря низкому уровню шума
      • Долгий срок службы и надежность
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют специального оборудования для монтажа и тестирования
    • Общее назначение:
      • Используется в системах передачи данных на большие расстояния
      • Подходит для радиолокационных систем
      • Используется в мобильных коммуникационных системах
    • Применение:
      • Телекоммуникационное оборудование
      • Системы спутниковой связи
      • Автомобильные системы связи
      • Радиолокационные системы
Выбрано: Показать

Характеристики GTVA101K42EV-V1-R0

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    960MHz ~ 1.4GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    83.6 mA
  • Мощность передачи
    1400W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    H-36275-4
  • Исполнение корпуса
    H-36275-4
  • Base Product Number
    GTVA101

Техническая документация

 GTVA101K42EV-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb
  • 84 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    375 059 ₽
  • 50
    321 448 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    GTVA101K42EV-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZВсе характеристики

Минимальная цена GTVA101K42EV-V1-R0 при покупке от 1 шт 375059.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTVA101K42EV-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GTVA101K42EV-V1-R0

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: GTVA101K42EV-V1-R0
      • Производитель: MACOM Technology Solutions
      • Тип: Гетероенструальный транзистор (HEMT) на базе галлия азотиды (GAN)
      • Напряжение блокировки: 50В
      • Мощность: 1400Вт
      • Частота работы: 0.96-1.4ГГц
    • Плюсы:
      • Высокая мощность и частота работы
      • Устойчивость к высоким температурам
      • Высокое качество сигнала благодаря низкому уровню шума
      • Долгий срок службы и надежность
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют специального оборудования для монтажа и тестирования
    • Общее назначение:
      • Используется в системах передачи данных на большие расстояния
      • Подходит для радиолокационных систем
      • Используется в мобильных коммуникационных системах
    • Применение:
      • Телекоммуникационное оборудование
      • Системы спутниковой связи
      • Автомобильные системы связи
      • Радиолокационные системы
Выбрано: Показать

Характеристики GTVA101K42EV-V1-R0

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    960MHz ~ 1.4GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    83.6 mA
  • Мощность передачи
    1400W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    H-36275-4
  • Исполнение корпуса
    H-36275-4
  • Base Product Number
    GTVA101

Техническая документация

 GTVA101K42EV-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF989ESUТранзистор: BLF989ES/SOT539/TRAY
    40 572Кешбэк 6 085 баллов
    PTVA123501FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-2
    65 838Кешбэк 9 875 баллов
    MWT-PH8FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    16 024Кешбэк 2 403 балла
    TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
    3 055Кешбэк 458 баллов
    BLC2425M9LS250ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
    23 479Кешбэк 3 521 балл
    GTVA101K42EV-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
    375 059Кешбэк 56 258 баллов
    BLC10G22XS-400AVTYТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL
    16 668Кешбэк 2 500 баллов
    CGHV60040D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    28 276Кешбэк 4 241 балл
    BLF189XRASUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    59 167Кешбэк 8 875 баллов
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    62 592Кешбэк 9 388 баллов
    BLC9H10XS-600AZТранзистор: BLC9H10XS-600A/SOT1250/TRAYDP
    20 778Кешбэк 3 116 баллов
    CG2H80060D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    27 840Кешбэк 4 176 баллов
    CGHV1J070D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    109 700Кешбэк 16 455 баллов
    CGHV60075D5-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    34 032Кешбэк 5 104 балла
    BLC9G15XS-400AVTZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7
    14 675Кешбэк 2 201 балл
    CGH27015FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    24 077Кешбэк 3 611 баллов
    BLA9H0912LS-250GUТранзистор: BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
    46 311Кешбэк 6 946 баллов
    MRFX600HSR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    46 780Кешбэк 7 017 баллов
    ART1K6FHSUТранзистор: ART1K6FHS/SOT539/TRAY
    34 747Кешбэк 5 212 баллов
    CGHV40180FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440223
    85 061Кешбэк 12 759 баллов
    WP28007025Транзистор: RF GaN HEMT 28V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 614Кешбэк 2 342 балла
    BLS9G2934L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    38 937Кешбэк 5 840 баллов
    ART700FHUТранзистор: ART700FHU/SOT1214/TRAY
    37 635Кешбэк 5 645 баллов
    ART2K0FESUТранзистор: ART2K0FES/SOT539/TRAY
    50 457Кешбэк 7 568 баллов
    BLA9H0912LS-700GUТранзистор: BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
    58 980Кешбэк 8 847 баллов
    BLC2425M10LS500PZТранзистор: BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYDP
    41 151Кешбэк 6 172 балла
    BLF0910H9LS750PUТранзистор: BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
    30 699Кешбэк 4 604 балла
    BLC2425M10LS250ZТранзистор: BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP
    21 837Кешбэк 3 275 баллов
    BLC9G20LS-150PVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V SOT12753
    11 238Кешбэк 1 685 баллов
    BLC9G24XS-170AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753
    11 005Кешбэк 1 650 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП