Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
GTVA107001EC-V1-R0
GTVA107001EC-V1-R0

GTVA107001EC-V1-R0

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    GTVA107001EC-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FETВсе характеристики

Минимальная цена GTVA107001EC-V1-R0 при покупке от 1 шт 233209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTVA107001EC-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GTVA107001EC-V1-R0

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    960MHz ~ 1.215GHz
  • Усиление
    20dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    890W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    SOT-957A
  • Исполнение корпуса
    H-36248-2
  • Base Product Number
    GTVA107001
Техническая документация
 GTVA107001EC-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 32 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    233 209 ₽
  • 50
    197 267 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    GTVA107001EC-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FETВсе характеристики

Минимальная цена GTVA107001EC-V1-R0 при покупке от 1 шт 233209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTVA107001EC-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GTVA107001EC-V1-R0

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    960MHz ~ 1.215GHz
  • Усиление
    20dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    890W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    SOT-957A
  • Исполнение корпуса
    H-36248-2
  • Base Product Number
    GTVA107001
Техническая документация
 GTVA107001EC-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    WP2806015UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ,15W
    13 133Кешбэк 1 969 баллов
    IRFAE32Транзистор: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    995Кешбэк 149 баллов
    WP28007025Транзистор: RF GaN HEMT 28V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 357Кешбэк 2 303 балла
    CG2H80015D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    27 835Кешбэк 4 175 баллов
    SAV-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V SC70-4
    3 005Кешбэк 450 баллов
    BLS9G2735L-50UТранзистор: RF MOSFET SOT1135A
    20 939Кешбэк 3 140 баллов
    TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
    2 502Кешбэк 375 баллов
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    384Кешбэк 57 баллов
    CPH3438-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    78Кешбэк 11 баллов
    CGHV40320D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V DIE
    106 679Кешбэк 16 001 балл
    CPH6601-TL-EТранзистор: PCH+PCH 2.5V DRIVE SERIES
    55Кешбэк 8 баллов
    CPH3313-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.2Кешбэк 2 балла
    BLP15H9S30ZТранзистор: BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
    4 209Кешбэк 631 балл
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    46 818Кешбэк 7 022 балла
    FSS173-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    102Кешбэк 15 баллов
    CGH35015FТранзистор: 15W GAN HEMT 28V 6.0GHZ FLANGE
    20 310Кешбэк 3 046 баллов
    BLP05H675XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    6 321Кешбэк 948 баллов
    BLP05H6250XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    11 873Кешбэк 1 780 баллов
    30C01M-TL-EBIP NPN 0.4A 30V
    14.6Кешбэк 2 балла
    CLF3H0060S-30UТранзистор: CLF3H0060S-30U/SOT1227/TRAY
    46 783Кешбэк 7 017 баллов
    BLF888ESUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B
    68 972Кешбэк 10 345 баллов
    PTVA123501EC-V2-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36248-2
    62 791Кешбэк 9 418 баллов
    BLS9G3135LS-115UТранзистор: BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
    18 743Кешбэк 2 811 баллов
    CGHV31500FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    253 410Кешбэк 38 011 баллов
    BLS9G3135LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    55 996Кешбэк 8 399 баллов
    BLM7G1822S-80PBYRF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122
    14 147Кешбэк 2 122 балла
    PTVA120251EA-V2-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36265-2
    9 705Кешбэк 1 455 баллов
    2SK2534-TL-ENCH 10V DRIVE SERIES
    612Кешбэк 91 балл
    UPA570T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    49Кешбэк 7 баллов
    2SJ281-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    73Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП