Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
GTVA126001EC-V1-R0
GTVA126001EC-V1-R0

GTVA126001EC-V1-R0

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    GTVA126001EC-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: 600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FETВсе характеристики

Минимальная цена GTVA126001EC-V1-R0 при покупке от 1 шт 205752.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTVA126001EC-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GTVA126001EC-V1-R0

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
    Тип транзистора HEMT
  • Частота
    1.2GHz ~ 1.4GHz
    Частота 1.2GHz ~ 1.4GHz
  • Усиление
    20dB
    Усиление 20dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
    Тестовое напряжение 50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
    Тестовый ток 100 mA
  • Мощность передачи
    600W
    Мощность передачи 600W
  • Нормальное напряжение
    125 V
    Нормальное напряжение 125 V
  • Корпус
    SOT-957A
    Корпус SOT-957A
  • Исполнение корпуса
    H-36248-2
    Исполнение корпуса H-36248-2
  • Base Product Number
    GTVA126001
    Base Product Number GTVA126001
Техническая документация
 GTVA126001EC-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 56 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    205 752 ₽
  • 50
    173 378 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    GTVA126001EC-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: 600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FETВсе характеристики

Минимальная цена GTVA126001EC-V1-R0 при покупке от 1 шт 205752.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTVA126001EC-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GTVA126001EC-V1-R0

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
    Тип транзистора HEMT
  • Частота
    1.2GHz ~ 1.4GHz
    Частота 1.2GHz ~ 1.4GHz
  • Усиление
    20dB
    Усиление 20dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
    Тестовое напряжение 50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
    Тестовый ток 100 mA
  • Мощность передачи
    600W
    Мощность передачи 600W
  • Нормальное напряжение
    125 V
    Нормальное напряжение 125 V
  • Корпус
    SOT-957A
    Корпус SOT-957A
  • Исполнение корпуса
    H-36248-2
    Исполнение корпуса H-36248-2
  • Base Product Number
    GTVA126001
    Base Product Number GTVA126001
Техническая документация
 GTVA126001EC-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GTVA107001EC-V1-R250Транзистор: 700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,
    PTVA030121EA-V1-R250IC AMP RF LDMOS
    FSS173-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    J111RLRPSMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET
    BLP05H675XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES
    CGH31240FТранзистор: 240W GAN HEMT 28V 2.7-3.1GHZ FET
    BLA9H0912L-700GUТранзистор: BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
    CPH6601-TL-EТранзистор: PCH+PCH 2.5V DRIVE SERIES
    CPH3445-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    BLC10G22XS-301AVTZТранзистор: BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP
    CGH27030S-AMP1Транзистор: AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S
    IRFAF50N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    PXAC182908FV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS
    BLC9G22LS-120VTZТранзистор: BLC9G22LS-120VT/SOT1271/TRAYDP
    GTVA107001EC-V1-R0Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET
    CGHV37400FТранзистор: 400W GAN HEMT 50V 3.3-3.7GHZ FET
    2SJ266-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    BLP10H630PGYТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
    CGHV40200PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 440199

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП