Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
GTVA311801FA-V1-R0
  • В избранное
  • В сравнение
GTVA311801FA-V1-R0

GTVA311801FA-V1-R0

GTVA311801FA-V1-R0
;
GTVA311801FA-V1-R0

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    GTVA311801FA-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZВсе характеристики

Минимальная цена GTVA311801FA-V1-R0 при покупке от 1 шт 83436.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTVA311801FA-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GTVA311801FA-V1-R0

Размеры и производитель:

  • Марка: GTVA311801FA-V1-R0
  • Производитель: MACOM Technology Solutions

Основные параметры:

  • Тип: Ганельный HEMT (GaN HEMT)
  • Напряжение: 50В
  • Мощность: 180Вт
  • Частота: 2.7-3.1ГГц

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе на высоких частотах
  • Высокая мощность
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Малый размер и легкость
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокая стоимость
  • Требуют специального оборудования для монтажа и обслуживания
  • Требуют дополнительного охлаждения

Общее назначение:

  • Используется в системах передачи данных и связи на высоких частотах
  • Применяется в системах радиолокации и навигации
  • Используется в системах беспроводной связи
  • Подходит для применения в промышленных и военных системах
Выбрано: Показать

Характеристики GTVA311801FA-V1-R0

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    15dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    20 mA
  • Мощность передачи
    180W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    H-37265J-2
  • Исполнение корпуса
    H-37265J-2
  • Base Product Number
    GTVA311801

Техническая документация

 GTVA311801FA-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb
  • 48 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    83 436 ₽
  • 10
    77 527 ₽
  • 50
    77 527 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    GTVA311801FA-V1-R0
  • Описание:
    Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZВсе характеристики

Минимальная цена GTVA311801FA-V1-R0 при покупке от 1 шт 83436.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GTVA311801FA-V1-R0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GTVA311801FA-V1-R0

Размеры и производитель:

  • Марка: GTVA311801FA-V1-R0
  • Производитель: MACOM Technology Solutions

Основные параметры:

  • Тип: Ганельный HEMT (GaN HEMT)
  • Напряжение: 50В
  • Мощность: 180Вт
  • Частота: 2.7-3.1ГГц

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе на высоких частотах
  • Высокая мощность
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Малый размер и легкость
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокая стоимость
  • Требуют специального оборудования для монтажа и обслуживания
  • Требуют дополнительного охлаждения

Общее назначение:

  • Используется в системах передачи данных и связи на высоких частотах
  • Применяется в системах радиолокации и навигации
  • Используется в системах беспроводной связи
  • Подходит для применения в промышленных и военных системах
Выбрано: Показать

Характеристики GTVA311801FA-V1-R0

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    15dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    20 mA
  • Мощность передачи
    180W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    H-37265J-2
  • Исполнение корпуса
    H-37265J-2
  • Base Product Number
    GTVA311801

Техническая документация

 GTVA311801FA-V1-R0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PTVA123501FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-2
    68 423Кешбэк 10 263 балла
    GTVA311801FA-V1-R250Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    72 451Кешбэк 10 867 баллов
    GTVA311801FA-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    83 436Кешбэк 12 515 баллов
    CG2H40120FТранзистор: 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2
    91 965Кешбэк 13 794 балла
    PTVA127002EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    102 391Кешбэк 15 358 баллов
    PTVA104501EH-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-33288-2
    107 034Кешбэк 16 055 баллов
    PTVA101K02EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    158 648Кешбэк 23 797 баллов
    GTVA107001EC-V1-R0Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET
    246 420Кешбэк 36 963 балла
    GTVA101K42EV-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
    389 786Кешбэк 58 467 баллов
    BF2040E6814HTSA1Транзистор: RF MOSFET N-CH 5V SOT143-4
    44Кешбэк 6 баллов
    TAV2-501+Транзистор: SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3
    2 644Кешбэк 396 баллов
    TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
    2 644Кешбэк 396 баллов
    TAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 907Кешбэк 436 баллов
    TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 907Кешбэк 436 баллов
    TAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 913Кешбэк 436 баллов
    SAV-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V SC70-4
    3 175Кешбэк 476 баллов
    TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
    3 175Кешбэк 476 баллов
    SAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    3 491Кешбэк 523 балла
    SAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    3 491Кешбэк 523 балла
    SAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    3 491Кешбэк 523 балла
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    49 470Кешбэк 7 420 баллов
    IGN0912LM500Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    163 897Кешбэк 24 584 балла
    IGN2729M400R2Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
    165 672Кешбэк 24 850 баллов
    CPH3313-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    19.2Кешбэк 2 балла
    MCH6306-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    19.2Кешбэк 2 балла
    CPH6335-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    19.2Кешбэк 2 балла
    MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    19.2Кешбэк 2 балла
    CPH6413-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    23Кешбэк 3 балла
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    23Кешбэк 3 балла
    MCH6422-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    27Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП