Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
HBDM60V600X-7
  • В избранное
  • В сравнение
HBDM60V600X-7

HBDM60V600X-7

HBDM60V600X-7
;
HBDM60V600X-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    HBDM60V600X-7
  • Описание:
    Транзистор: FUNCTIONAL ARRAY SOT363 T&R 3KВсе характеристики

Минимальная цена HBDM60V600X-7 при покупке от 1 шт 111.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HBDM60V600X-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HBDM60V600X-7

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор функционального массива
      • Обозначение: SOT363
      • Номинальная мощность: 60В
      • Номинальный ток: 600мА
      • Температурный коэффициент: -7°C/W
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Малый размер корпуса (SOT363)
      • Устойчивость к перегреву
      • Доступность и широкое применение
    • Минусы:
      • Ограниченная мощность
      • Требует дополнительной термической регулировки для высоких мощностей
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых схемах
      • Контрольное звено в электронных устройствах
      • Поддержание уровня сигнала
    • В каких устройствах применяется:
      • Микросхемы управления двигателем
      • Системы управления светом
      • Электронные блоки питания
      • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики HBDM60V600X-7

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600mA, 500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60V, 80V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA, 50nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363

Техническая документация

 HBDM60V600X-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 165 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    111 ₽
  • 100
    43.4 ₽
  • 1000
    29.4 ₽
  • 6000
    23 ₽
  • 15000
    20.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    HBDM60V600X-7
  • Описание:
    Транзистор: FUNCTIONAL ARRAY SOT363 T&R 3KВсе характеристики

Минимальная цена HBDM60V600X-7 при покупке от 1 шт 111.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HBDM60V600X-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HBDM60V600X-7

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор функционального массива
      • Обозначение: SOT363
      • Номинальная мощность: 60В
      • Номинальный ток: 600мА
      • Температурный коэффициент: -7°C/W
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Малый размер корпуса (SOT363)
      • Устойчивость к перегреву
      • Доступность и широкое применение
    • Минусы:
      • Ограниченная мощность
      • Требует дополнительной термической регулировки для высоких мощностей
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых схемах
      • Контрольное звено в электронных устройствах
      • Поддержание уровня сигнала
    • В каких устройствах применяется:
      • Микросхемы управления двигателем
      • Системы управления светом
      • Электронные блоки питания
      • Устройства связи
Выбрано: Показать

Характеристики HBDM60V600X-7

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600mA, 500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60V, 80V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 10mA, 100mA, 500mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA, 50nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363

Техническая документация

 HBDM60V600X-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HN1C03FU-B,LFТранзистор: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
    61Кешбэк 9 баллов
    DMMT3906WQ-7-FТранзистор: TRANS 2PNP 40V 200MA SOT363
    109Кешбэк 16 баллов
    ZXTP56020FDBQ-7Транзистор: TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6
    167Кешбэк 25 баллов
    MMDT2227Q-7-FТранзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    70Кешбэк 10 баллов
    ZXTP56060FDBQ-7Транзистор: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
    137Кешбэк 20 баллов
    BCM847BS-7Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    41Кешбэк 6 баллов
    BC856AQ-7-FGENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC847BSQ-7-FТранзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    50Кешбэк 7 баллов
    BCM846BS-7Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    43Кешбэк 6 баллов
    MMDT3946-7R-FТранзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    43Кешбэк 6 баллов
    BC856ASQ-7-FТранзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    43Кешбэк 6 баллов
    BC847PNQ-7R-FТранзистор: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT363
    54Кешбэк 8 баллов
    MMDT3946FL3-7Транзистор: TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6DFN
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT3904Q-7-FТранзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    56Кешбэк 8 баллов
    BC846ASQ-7-FТранзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    56Кешбэк 8 баллов
    HBDM60V600X-7Транзистор: FUNCTIONAL ARRAY SOT363 T&R 3K
    111Кешбэк 16 баллов
    BC847PNQ-7-FТранзистор: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT363
    54Кешбэк 8 баллов
    AC857BSQ-7Транзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
    57Кешбэк 8 баллов
    2N4403RPТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    2N4401RPТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    BC857CMTFSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    KSC5321POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    65Кешбэк 9 баллов
    MJD47TF-FSPOWER BIPOLAR TRANSISTOR
    93Кешбэк 13 баллов
    2N3904RMТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    7.4Кешбэк 1 балл
    BC80740Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    18.5Кешбэк 2 балла
    PN3638SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    13Кешбэк 1 балл
    2SA1708T-AN-FSSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    57Кешбэк 8 баллов
    CMKT5087 TR PBFREEТранзистор: TRANS 2PNP 50V 0.05A SOT-363
    196Кешбэк 29 баллов
    CMLT5551 TR PBFREEТранзистор: TRANS 2NPN 160V 0.6A SOT-563
    128Кешбэк 19 баллов
    CMLT2907A TR PBFREEТранзистор: TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
    128Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП