Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HERAF808G

HERAF808G

HERAF808G
;
HERAF808G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HERAF808G при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HERAF808G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HERAF808G

HERAF808G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR): 1 кВ
    • Номинальный ток прямого тока (IDRM): 8 А
    • Марка: HERAF808G
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Область применения: ITO220AC
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение
    • Высокая токопроводность
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с аналогами
    • Требует точного подбора для конкретной цепи
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Обеспечение безопасного отключения при перегрузках
    • Изоляция различных компонентов электроники
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Аппаратура связи
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики HERAF808G

Техническая документация

HERAF808G.pdf
pdf. 0 kb
  • 976 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    300 ₽
  • 50
    142 ₽
  • 500
    100 ₽
  • 2000
    84 ₽
  • 10000
    72 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HERAF808G при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HERAF808G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HERAF808G

HERAF808G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR): 1 кВ
    • Номинальный ток прямого тока (IDRM): 8 А
    • Марка: HERAF808G
    • Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
    • Область применения: ITO220AC
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение
    • Высокая токопроводность
    • Долгий срок службы
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с аналогами
    • Требует точного подбора для конкретной цепи
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Обеспечение безопасного отключения при перегрузках
    • Изоляция различных компонентов электроники
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Аппаратура связи
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики HERAF808G

Техническая документация

HERAF808G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории