Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
HFA3096BZ
  • В избранное
  • В сравнение
HFA3096BZ

HFA3096BZ

HFA3096BZ
;
HFA3096BZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    RENESAS
  • Артикул:
    HFA3096BZ
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена HFA3096BZ при покупке от 1 шт 2395.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HFA3096BZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HFA3096BZ

HFA3096BZ Renesas / Intersil Транзистор:

  • RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC

Основные параметры:

  • Напряжение питания: 12/15 В
  • Частота: 5.5 ГГц
  • Количество выводов: 16 SOIC

Плюсы:

  • Высокая рабочая частота для радиосвязи
  • Устойчивость к шумам и помехам
  • Малый размер благодаря использованию 16SOIC

Минусы:

  • Высокие требования к условиям работы
  • Сложность в разработке и производстве

Общее назначение:

  • Используется в системах радиосвязи и передачи данных
  • Подходит для применения в беспроводных устройствах

В каких устройствах применяется:

  • Беспроводные телефоны и другие мобильные устройства
  • Системы спутниковой связи
  • Телевизионные антенны и приемники
  • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики HFA3096BZ

  • Тип транзистора
    3 NPN + 2 PNP
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V, 15V
  • Трансформация частоты
    8GHz, 5.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    3.5dB @ 1GHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    65mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    HFA3096

Техническая документация

 HFA3096BZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 2281 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 395 ₽
  • 5
    2 035 ₽
  • 10
    1 672 ₽
  • 50
    1 621 ₽
  • 100
    1 421 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    RENESAS
  • Артикул:
    HFA3096BZ
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOICВсе характеристики

Минимальная цена HFA3096BZ при покупке от 1 шт 2395.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HFA3096BZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HFA3096BZ

HFA3096BZ Renesas / Intersil Транзистор:

  • RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC

Основные параметры:

  • Напряжение питания: 12/15 В
  • Частота: 5.5 ГГц
  • Количество выводов: 16 SOIC

Плюсы:

  • Высокая рабочая частота для радиосвязи
  • Устойчивость к шумам и помехам
  • Малый размер благодаря использованию 16SOIC

Минусы:

  • Высокие требования к условиям работы
  • Сложность в разработке и производстве

Общее назначение:

  • Используется в системах радиосвязи и передачи данных
  • Подходит для применения в беспроводных устройствах

В каких устройствах применяется:

  • Беспроводные телефоны и другие мобильные устройства
  • Системы спутниковой связи
  • Телевизионные антенны и приемники
  • Радарные системы
Выбрано: Показать

Характеристики HFA3096BZ

  • Тип транзистора
    3 NPN + 2 PNP
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V, 15V
  • Трансформация частоты
    8GHz, 5.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    3.5dB @ 1GHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    65mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    16-SOIC
  • Base Product Number
    HFA3096

Техническая документация

 HFA3096BZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFU520RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    152Кешбэк 22 балла
    BFU768F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
    154Кешбэк 23 балла
    BFU520YXТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    185Кешбэк 27 баллов
    BFU520YFТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    253Кешбэк 37 баллов
    BFU590QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
    342Кешбэк 51 балл
    SS9018FBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    7.8Кешбэк 1 балл
    2N3663Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
    7.8Кешбэк 1 балл
    SS9018GBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    9.7Кешбэк 1 балл
    MMBTH10Транзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.7Кешбэк 1 балл
    PN3563Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    13.6Кешбэк 2 балла
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    15.6Кешбэк 2 балла
    MMBTH10RGТранзистор: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    19.4Кешбэк 2 балла
    MPSH17Транзистор: TRANS NPN 15V TO-92
    19.4Кешбэк 2 балла
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    29Кешбэк 4 балла
    MMBTH34Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    58Кешбэк 8 баллов
    HFA3134IHZ96Транзистор: RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
    1 505Кешбэк 225 баллов
    HFA3096BZТранзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 395Кешбэк 359 баллов
    NE68730-T1Транзистор
    119Кешбэк 17 баллов
    NE68119-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
    156Кешбэк 23 балла
    NE68819-T1-AТранзистор: TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
    156Кешбэк 23 балла
    NE68519-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
    156Кешбэк 23 балла
    NE662M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68133-T1B-R34-AТранзистор
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68139-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68030-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68033-T1B-AТранзистор
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68018-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68518-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68118-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343
    389Кешбэк 58 баллов
    NE66219-T1-AТранзистор
    467Кешбэк 70 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП