Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGTP10N40F1D

HGTP10N40F1D

HGTP10N40F1D
;
HGTP10N40F1D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGTP10N40F1D при покупке от 214 шт 259.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP10N40F1D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTP10N40F1D

Транзистор HGTP10N40F1D Harris Corporation:

  • Основные параметры:
    • Рейтингная токовая способность (IR): 12 А
    • Рейтингное напряжение коллектора-эмиттера (UDC): 400 В
    • Тип: N-канальный IGBT
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый тепловой сопротивление
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высокой нагрузке
    • Нужен правильный выбор и подключение для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления двигателем
    • В промышленной автоматике и автоматизации
    • Для преобразователей частоты
    • В источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные электродвигатели
    • Системы управления электроприборами
    • Источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики HGTP10N40F1D

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    12 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    12 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.5V @ 10V, 5A
  • Рассеивание мощности
    75 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    13.4 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • 806 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 214 шт
  • Количество
    Цена
  • 214
    259 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGTP10N40F1D при покупке от 214 шт 259.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP10N40F1D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTP10N40F1D

Транзистор HGTP10N40F1D Harris Corporation:

  • Основные параметры:
    • Рейтингная токовая способность (IR): 12 А
    • Рейтингное напряжение коллектора-эмиттера (UDC): 400 В
    • Тип: N-канальный IGBT
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый тепловой сопротивление
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высокой нагрузке
    • Нужен правильный выбор и подключение для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления двигателем
    • В промышленной автоматике и автоматизации
    • Для преобразователей частоты
    • В источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные электродвигатели
    • Системы управления электроприборами
    • Источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики HGTP10N40F1D

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    400 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    12 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    12 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.5V @ 10V, 5A
  • Рассеивание мощности
    75 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    13.4 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 214 шт