HGTP20N35F3ULR3935

HGTP20N35F3ULR3935 Harris Corporation Транзистор: это N-канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 20A (ток пропускания) и 350V (ударная напряжение).

• Основные параметры:
• Ток пропускания (I_max): 20A
• Ударное напряжение (U_ds(on)): 350V
• Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (U_ceo): 1200V
• Коэффициент эффективности: до 99%
• Частота переключения: до 100kHz

• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Малый тепловыделение при работе
• Долгий срок службы
• Простота управления
• Высокая скорость переключения

• Минусы:
• Высокие требования к проектированию системы охлаждения
• Необходимость использования специального оборудования для управления
• Стоимость может быть выше, чем аналогичных транзисторов

• Общее назначение:
• Использование в системах управления электрическими машинами и двигателей
• Применение в инверторах и преобразователях
• Работа в источниках питания
• Обеспечение высокой эффективности в схемах управления нагрузками

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Инверторы для переменного тока
• Преобразователи напряжения
• Электроприводы для промышленного оборудования
• Источники бесперебойного питания