HGTP20N35F3VL от 406 ₽ доступно 1350 шт Harris Corporation

HGTP20N35F3VL

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Harris Corporation
Артикул:
HGTP20N35F3VL
Описание:
Транзистор: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTP20N35F3VL при покупке от 137 шт 406.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP20N35F3VL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTP20N35F3VL

Транзистор HGTP20N35F3VL Harris Corporation

Основные параметры:

Номинальный ток прямого тока (I_TO) - 20 А
Номинальное напряжение блокировки (V_CEO) - 350 В
Канал - N-CHANNEL
Тип - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Плюсы:

Высокая скорость переключения благодаря технологии IGBT
Меньший тепловыделение по сравнению с MOSFET при аналогичных характеристиках
Устойчивость к статическому электричеству
Малый динамический ток затвора

Минусы:

Более сложная схемотехника управления по сравнению с MOSFET
Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
Большой размер по сравнению с MOSFET

Общее назначение:

Применяется в системах управления двигателей
Используется в источниках питания для различных устройств
Входит в состав преобразователей частоты
Применяется в системах управления энергетическими нагрузками

В каких устройствах применяется:

Автомобильные системы управления двигателем
Системы управления промышленными электродвигателями
Источники бесперебойного питания (UPS)
Преобразователи энергии для солнечных панелей
Электронные устройства высокой мощности

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики HGTP20N35F3VL

1350 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 137 шт

Количество
Цена
137
406 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Harris Corporation
Артикул:
HGTP20N35F3VL
Описание:
Транзистор: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Описание HGTP20N35F3VL

Транзистор HGTP20N35F3VL Harris Corporation

Основные параметры:

Номинальный ток прямого тока (I_TO) - 20 А
Номинальное напряжение блокировки (V_CEO) - 350 В
Канал - N-CHANNEL
Тип - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Плюсы:

Высокая скорость переключения благодаря технологии IGBT
Меньший тепловыделение по сравнению с MOSFET при аналогичных характеристиках
Устойчивость к статическому электричеству
Малый динамический ток затвора

Минусы:

Более сложная схемотехника управления по сравнению с MOSFET
Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
Большой размер по сравнению с MOSFET

Общее назначение:

Применяется в системах управления двигателей
Используется в источниках питания для различных устройств
Входит в состав преобразователей частоты
Применяется в системах управления энергетическими нагрузками

В каких устройствах применяется:

Автомобильные системы управления двигателем
Системы управления промышленными электродвигателями
Источники бесперебойного питания (UPS)
Преобразователи энергии для солнечных панелей
Электронные устройства высокой мощности

Выбрать все

Выбрано: Показать

HGTP20N35F3VL

HGTP20N35F3VL

Описание HGTP20N35F3VL

Характеристики HGTP20N35F3VL

Описание HGTP20N35F3VL

Характеристики HGTP20N35F3VL

Похожие товары

Похожие категории