HGTP20N35F3VL

Транзистор HGTP20N35F3VL Harris Corporation

• Основные параметры:
• Номинальный ток прямого тока (I_TO) - 20 А
• Номинальное напряжение блокировки (V_CEO) - 350 В
• Канал - N-CHANNEL
• Тип - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения благодаря технологии IGBT
• Меньший тепловыделение по сравнению с MOSFET при аналогичных характеристиках
• Устойчивость к статическому электричеству
• Малый динамический ток затвора
• Минусы:
• Более сложная схемотехника управления по сравнению с MOSFET
• Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
• Большой размер по сравнению с MOSFET
• Общее назначение:
• Применяется в системах управления двигателей
• Используется в источниках питания для различных устройств
• Входит в состав преобразователей частоты
• Применяется в системах управления энергетическими нагрузками
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы управления промышленными электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Преобразователи энергии для солнечных панелей
• Электронные устройства высокой мощности