Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
HGTP3N60B3
HGTP3N60B3

HGTP3N60B3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTP3N60B3
  • Описание:
    Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTP3N60B3 при покупке от 395 шт 145.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP3N60B3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTP3N60B3

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    7 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    20 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 3.5A
  • Рассеивание мощности
    33.3 W
  • Энергия переключения
    66µJ (on), 88µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    21 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    18ns/105ns
  • Условие испытаний
    480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    16 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 395
    145 ₽

Минимально и кратно 395 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTP3N60B3
  • Описание:
    Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTP3N60B3 при покупке от 395 шт 145.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP3N60B3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTP3N60B3

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    7 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    20 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 3.5A
  • Рассеивание мощности
    33.3 W
  • Энергия переключения
    66µJ (on), 88µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    21 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    18ns/105ns
  • Условие испытаний
    480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    16 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKQ75N120CT2XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 150A TO247-3
    HGT1S14N41G3VLSТранзистор: IGBT, 25A, 445V, N-CHANNEL
    STGF20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP
    FGB3245G2-F085ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT
    IKFW75N60ETXKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    HGTP10N40C1Транзистор: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    IXYH90N65A5Транзистор: IGBT 650V 90A X5 XPT TO-247
    IKFW40N60DH3EXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 34A TO247-3
    IRGIB6B60KDPBF-INFТранзистор: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    IXYT55N120A4HVТранзистор: IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV
    IXYP60N65A5Транзистор: IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220
    RGS30TSX2DHRC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    IKD15N60RATMA1Транзистор: IGBT 600V 30A TO252-3
    AIKW40N65DH5XKSA1Транзистор: IC DISCRETE 650V TO247-3
    IRGB15B60KDPBF-INFТранзистор: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
    ISL9V3040D3STVТранзистор: ECOSPARK1 IGN IGBT TO252
    HGTG15N120C3Транзистор: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
    IHW50N65R6XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
    AFGB40T65SQDNТранзистор: 650V/40A FS4 IGBT TO263 A
    AOK40B65H2ALТранзистор: IGBT 650V 40A TO-247
    RGTVX6TS65DGC11Транзистор: IGBT
    IKW40N120CS7XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
    FGHL75T65MQDTТранзистор: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24
    RGS30TSX2HRC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    APT35GP120B2D2GТранзистор: IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
    IGTM10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    AIKB30N65DF5ATMA1Транзистор: IC DISCRETE 650V TO263-3
    RGW80TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    HGTG2ON60C3DRТранзистор: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C
    RGT50TS65DGC13Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП