HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E Renesas Electronics Corporation — это транзистор NPN с диэлектрическим охлаждением для радиосвязи. Это транзистор с небольшим током, предназначенный для использования в радиоприемниках и передающих устройствах.

• Основные параметры:
• Ток коллектора (IC): 0.035 А
• Коллекторный напряжение (VCEO): 40 В
• Базовый напряжение (VBE(on)): 0.25 В
• Прочность при температуре (Tj): 150 °C

• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Устойчивость к перегреву благодаря диэлектрическому охлаждению
• Низкий уровень шумов и искажений

• Минусы:
• Небольшой ток коллектора ограничивает его применение
• Высокие требования к охлаждению из-за диэлектрической структуры

• Общее назначение:
• Радиоприемники
• Передающие устройства
• Системы связи

Транзистор HSG1002VE-TL-E применяется в устройствах, требующих высокой надежности и устойчивости к перегреву, таких как портативные радиоприемники, системы мобильной связи и другие радиотехнические устройства.