Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
HUF75332P3
  • В избранное
  • В сравнение
HUF75332P3

HUF75332P3

HUF75332P3
;
HUF75332P3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    HUF75332P3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена HUF75332P3 при покупке от 1 шт 363.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HUF75332P3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HUF75332P3

HUF75332P3 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД: 55В
    • Ток РД: 60А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток стояка
    • Высокий коэффициент сжатия
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Импульсные преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Импульсные преобразователи
    • Устройства с обратной связью
Выбрано: Показать

Характеристики HUF75332P3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    145W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    HUF75332

Техническая документация

 HUF75332P3.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    363 ₽
  • 10
    273 ₽
  • 25
    225 ₽
  • 50
    218 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    HUF75332P3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена HUF75332P3 при покупке от 1 шт 363.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HUF75332P3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HUF75332P3

HUF75332P3 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение РД: 55В
    • Ток РД: 60А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток стояка
    • Высокий коэффициент сжатия
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Импульсные преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Импульсные преобразователи
    • Устройства с обратной связью
Выбрано: Показать

Характеристики HUF75332P3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    145W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    HUF75332

Техническая документация

 HUF75332P3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7172DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
    654Кешбэк 98 баллов
    IRFI9620GPBFТранзистор: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3
    506Кешбэк 75 баллов
    IRFR420ATRPBFMOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
    422Кешбэк 63 балла
    SI7110DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
    467Кешбэк 70 баллов
    IRFRC20TRPBFMOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    253Кешбэк 37 баллов
    SUD20N10-66L-GE3MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
    113Кешбэк 16 баллов
    IRFR020TRPBFMOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    376Кешбэк 56 баллов
    SI1441EDH-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
    112Кешбэк 16 баллов
    SI7386DP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
    405Кешбэк 60 баллов
    IRFRC20PBFMOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    136Кешбэк 20 баллов
    SUD19N20-90-E3MOSFET N-CH 200V 19A TO252
    390Кешбэк 58 баллов
    SI1427EDH-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
    69Кешбэк 10 баллов
    IRF9Z14PBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
    180Кешбэк 27 баллов
    SIR870DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
    231Кешбэк 34 балла
    SI1467DH-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
    165Кешбэк 24 балла
    SI1403BDL-T1-E3MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
    147Кешбэк 22 балла
    SI7309DN-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
    273Кешбэк 40 баллов
    SIR424DP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
    221Кешбэк 33 балла
    IRL510PBFMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    149Кешбэк 22 балла
    SUD25N15-52-E3Транзистор: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
    359Кешбэк 53 балла
    SI4896DY-T1-E3MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
    297Кешбэк 44 балла
    IRFR110TRPBFMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    SI6423DQ-T1-GE3MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
    329Кешбэк 49 баллов
    SIRA00DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
    461Кешбэк 69 баллов
    SIR826DP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
    591Кешбэк 88 баллов
    IRF9620SPBFMOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
    483Кешбэк 72 балла
    SI7423DN-T1-E3MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
    398Кешбэк 59 баллов
    SIS415DNT-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
    180Кешбэк 27 баллов
    SI7852DP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
    574Кешбэк 86 баллов
    SI4386DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
    441Кешбэк 66 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП