Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
HUF75545S3ST
  • В избранное
  • В сравнение
HUF75545S3ST

HUF75545S3ST

HUF75545S3ST
;
HUF75545S3ST

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    HUF75545S3ST
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 75A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена HUF75545S3ST при покупке от 1 шт 655.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HUF75545S3ST с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HUF75545S3ST

HUF75545S3ST onsemi MOSFET N-Ч 80В 75А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток (IDS(on)): 75 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 80 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий сопротивление в режиме ON
    • Малое тепловыделение при высоких нагрузках
    • Устойчивость к шуму и импульсным перенапряжениям
    • Простота управления и применения
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного напряжения
    • Могут возникать проблемы с тепловым дизайном без эффективной системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных электронных цепях
    • Применяется в источниках питания для компьютеров, серверов и прочего оборудования
    • Способствует повышению КПД в системах преобразования энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Компьютеры и серверы
    • Электротранспорт
Выбрано: Показать

Характеристики HUF75545S3ST

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 75A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    235 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3750 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    270W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    HUF75545

Техническая документация

 HUF75545S3ST.pdf
pdf. 0 kb
  • 24985 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    655 ₽
  • 10
    438 ₽
  • 100
    331 ₽
  • 800
    225 ₽
  • 1600
    220 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    HUF75545S3ST
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 75A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена HUF75545S3ST при покупке от 1 шт 655.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HUF75545S3ST с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HUF75545S3ST

HUF75545S3ST onsemi MOSFET N-Ч 80В 75А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальный ток (IDS(on)): 75 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 80 В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкий сопротивление в режиме ON
    • Малое тепловыделение при высоких нагрузках
    • Устойчивость к шуму и импульсным перенапряжениям
    • Простота управления и применения
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от обратного напряжения
    • Могут возникать проблемы с тепловым дизайном без эффективной системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных электронных цепях
    • Применяется в источниках питания для компьютеров, серверов и прочего оборудования
    • Способствует повышению КПД в системах преобразования энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Компьютеры и серверы
    • Электротранспорт
Выбрано: Показать

Характеристики HUF75545S3ST

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 75A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    235 nC @ 20 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3750 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    270W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    HUF75545

Техническая документация

 HUF75545S3ST.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF820STRRPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
    492Кешбэк 73 балла
    SI4842BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
    528Кешбэк 79 баллов
    SI7326DN-T1-E3MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
    275Кешбэк 41 балл
    IRFBE20PBFMOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
    190Кешбэк 28 баллов
    SI3440DV-T1-E3MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
    393Кешбэк 58 баллов
    SI4136DY-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 46A 8SO
    245Кешбэк 36 баллов
    SQJ463EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
    726Кешбэк 108 баллов
    SIHH11N60EF-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
    933Кешбэк 139 баллов
    IRFR9024PBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
    268Кешбэк 40 баллов
    IRFBF30STRLPBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
    862Кешбэк 129 баллов
    SIHG22N60E-E3MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
    1 001Кешбэк 150 баллов
    IRF640STRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
    365Кешбэк 54 балла
    IRFB9N60APBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
    395Кешбэк 59 баллов
    SQD50N06-09L_GE3MOSFET N-CH 60V 50A TO252
    796Кешбэк 119 баллов
    SI4894BDY-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
    245Кешбэк 36 баллов
    IRF9520STRLPBFMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    551Кешбэк 82 балла
    SI7317DN-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
    325Кешбэк 48 баллов
    SQD50P04-13L_GE3MOSFET P-CH 40V 50A TO252
    729Кешбэк 109 баллов
    SIHP7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
    228Кешбэк 34 балла
    SUP50020EL-GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    767Кешбэк 115 баллов
    SI7174DP-T1-GE3MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
    788Кешбэк 118 баллов
    SI2316BDS-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
    180Кешбэк 27 баллов
    IRLR014PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    222Кешбэк 33 балла
    IRFS11N50APBFMOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
    574Кешбэк 86 баллов
    SQD15N06-42L_GE3MOSFET N-CH 60V 15A TO252
    296Кешбэк 44 балла
    IRF640STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
    463Кешбэк 69 баллов
    SI2316BDS-T1-E3MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
    180Кешбэк 27 баллов
    SI3442BDV-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
    180Кешбэк 27 баллов
    SI4116DY-T1-E3MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
    104Кешбэк 15 баллов
    IRFI730GPBFMOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
    492Кешбэк 73 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП