Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
HUFA76407DK8T-F085
  • В избранное
  • В сравнение
HUFA76407DK8T-F085

HUFA76407DK8T-F085

HUFA76407DK8T-F085
;
HUFA76407DK8T-F085

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    HUFA76407DK8T-F085
  • Описание:
    MOSFET 2N-CH 60V 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена HUFA76407DK8T-F085 при покупке от 1 шт 459.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HUFA76407DK8T-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HUFA76407DK8T-F085

Маркировка HUFA76407DK8T-F085, производитель ON Semiconductor, описание MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 2.5 В
    • Номинальное напряжение коллектора по отношению к эмиттеру (VCEO): 60 В
    • Номинальная токовая способность (ID): 7.5 А
    • Объемный заряд (Qg): 15 нКл
    • Технология: Si
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому заряду гейта
    • Низкий ток дrain-to-source при отключенном канале (ID(off))
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Малый размер из-за 8-SOIC корпуса
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Могут возникать помехи при быстром переключении
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания для управления токами
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в схемах преобразования напряжений
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах для домашнего использования
    • Промышленных системах управления
    • Системах питания серверных шкафов
Выбрано: Показать

Характеристики HUFA76407DK8T-F085

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    2.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    HUFA76407

Техническая документация

 HUFA76407DK8T-F085.pdf
pdf. 0 kb
  • 3141 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    459 ₽
  • 10
    296 ₽
  • 100
    202 ₽
  • 500
    162 ₽
  • 2500
    135 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    HUFA76407DK8T-F085
  • Описание:
    MOSFET 2N-CH 60V 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена HUFA76407DK8T-F085 при покупке от 1 шт 459.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HUFA76407DK8T-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HUFA76407DK8T-F085

Маркировка HUFA76407DK8T-F085, производитель ON Semiconductor, описание MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 2.5 В
    • Номинальное напряжение коллектора по отношению к эмиттеру (VCEO): 60 В
    • Номинальная токовая способность (ID): 7.5 А
    • Объемный заряд (Qg): 15 нКл
    • Технология: Si
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому заряду гейта
    • Низкий ток дrain-to-source при отключенном канале (ID(off))
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Малый размер из-за 8-SOIC корпуса
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Могут возникать помехи при быстром переключении
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания для управления токами
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в схемах преобразования напряжений
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах для домашнего использования
    • Промышленных системах управления
    • Системах питания серверных шкафов
Выбрано: Показать

Характеристики HUFA76407DK8T-F085

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.2nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 25V
  • Рассеивание мощности
    2.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    HUFA76407

Техническая документация

 HUFA76407DK8T-F085.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVMFD5C680NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
    289Кешбэк 43 балла
    EFC3J018NUZTDGТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
    295Кешбэк 44 балла
    NVMFD5C470NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
    319Кешбэк 47 баллов
    NTTFD4D0N04HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
    346Кешбэк 51 балл
    NVMFD5C466NT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    348Кешбэк 52 балла
    NVMFD6H846NLWFT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    350Кешбэк 52 балла
    NTMFD6H846NLT1GТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V,
    356Кешбэк 53 балла
    NVMFD5C478NLT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    376Кешбэк 56 баллов
    NVMFD5C478NLWFT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    378Кешбэк 56 баллов
    NVMFD5C466NWFT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    382Кешбэк 57 баллов
    NTTFD9D0N06HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
    408Кешбэк 61 балл
    NVMFD6H846NLT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    409Кешбэк 61 балл
    NVMFD5C470NWFT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    419Кешбэк 62 балла
    NVMFD5C466NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    422Кешбэк 63 балла
    NVMFD5C470NT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    430Кешбэк 64 балла
    HUFA76407DK8T-F085MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
    459Кешбэк 68 баллов
    EFC4K110NUZTDGТранзистор: NCH 24V 25A WLCSP DUAL
    508Кешбэк 76 баллов
    NVMFD5C462NT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    528Кешбэк 79 баллов
    2SK4085LS-CB11N-CHANNEL MOSFET
    547Кешбэк 82 балла
    NVMFD6H840NLT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    550Кешбэк 82 балла
    NVMFD5C462NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    552Кешбэк 82 балла
    NVMFD6H840NLWFT1GТранзистор: T8 80V LL SO8FL DS
    552Кешбэк 82 балла
    NVMFD5C466NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    560Кешбэк 84 балла
    NVMFD5C672NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    569Кешбэк 85 баллов
    NVMFD5C672NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
    571Кешбэк 85 баллов
    NVMFD5C668NLT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    585Кешбэк 87 баллов
    NVMFD5C462NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
    595Кешбэк 89 баллов
    2SJ653POWER MOSFET MOTOR DRIVERS
    650Кешбэк 97 баллов
    NVMFD5C668NLWFT1GТранзистор: T6 60V S08FL DUAL
    698Кешбэк 104 балла
    NVMFD5C462NWFT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП