Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IAUA250N04S6N007AUMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IAUA250N04S6N007AUMA1

IAUA250N04S6N007AUMA1

IAUA250N04S6N007AUMA1
;
IAUA250N04S6N007AUMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IAUA250N04S6N007AUMA1
  • Описание:
    MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5Все характеристики

Минимальная цена IAUA250N04S6N007AUMA1 при покупке от 1 шт 865.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IAUA250N04S6N007AUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IAUA250N04S6N007AUMA1

Маркировка IAUA250N04S6N007AUMA1, производитель Infineon Technologies, обозначает MOSFET с характеристиками:

  • Рейтингное напряжение: 250 В
  • Рейтингный ток: 40 А
  • Тип контура: N-канальный
  • Тип устройства: полупроводниковый транзистор с эффектом металлического оксида (MOSFET)
  • Номинальное значение тока: 4 А
  • Стандартная технология: PG-HSOF-5

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи и низкий транзисторный сопротивление при открытом канале
  • Устойчивость к электрическим шумам благодаря конструкции с металлическим оксидом
  • Малые потери энергии при работе
  • Высокая надежность и долговечность
  • Минимальная емкость генератора паразитного заряда

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют дополнительных мер защиты от перегрузок и перенапряжений

Общее назначение: MOSFET используется для управления током в различных электронных устройствах, где требуется высокая скорость переключения и точное управление.

Применяется в:

  • Драйверах для электродвигателей
  • Инверторах для преобразования напряжения
  • Автомобильных системах управления двигателем
  • Промышленной автоматике
  • Электронных системах питания
Выбрано: Показать

Характеристики IAUA250N04S6N007AUMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    435A (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.7mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    151 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9898 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-5-4
  • Корпус
    5-PowerSFN
  • Base Product Number
    IAUA250
  • 666 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    865 ₽
  • 10
    578 ₽
  • 100
    445 ₽
  • 500
    365 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    IAUA250N04S6N007AUMA1
  • Описание:
    MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5Все характеристики

Минимальная цена IAUA250N04S6N007AUMA1 при покупке от 1 шт 865.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IAUA250N04S6N007AUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IAUA250N04S6N007AUMA1

Маркировка IAUA250N04S6N007AUMA1, производитель Infineon Technologies, обозначает MOSFET с характеристиками:

  • Рейтингное напряжение: 250 В
  • Рейтингный ток: 40 А
  • Тип контура: N-канальный
  • Тип устройства: полупроводниковый транзистор с эффектом металлического оксида (MOSFET)
  • Номинальное значение тока: 4 А
  • Стандартная технология: PG-HSOF-5

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи и низкий транзисторный сопротивление при открытом канале
  • Устойчивость к электрическим шумам благодаря конструкции с металлическим оксидом
  • Малые потери энергии при работе
  • Высокая надежность и долговечность
  • Минимальная емкость генератора паразитного заряда

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуют дополнительных мер защиты от перегрузок и перенапряжений

Общее назначение: MOSFET используется для управления током в различных электронных устройствах, где требуется высокая скорость переключения и точное управление.

Применяется в:

  • Драйверах для электродвигателей
  • Инверторах для преобразования напряжения
  • Автомобильных системах управления двигателем
  • Промышленной автоматике
  • Электронных системах питания
Выбрано: Показать

Характеристики IAUA250N04S6N007AUMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    435A (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.7mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    151 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9898 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-5-4
  • Корпус
    5-PowerSFN
  • Base Product Number
    IAUA250

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC080N12LSGATMA1TRENCH >=100V PG-TDSON-8
    709Кешбэк 106 баллов
    IPB65R190CFDATMA1MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
    714Кешбэк 107 баллов
    IPB320N20N3GATMA1MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
    716Кешбэк 107 баллов
    SPP17N80C3XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
    729Кешбэк 109 баллов
    IPAN80R280P7XKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO220
    732Кешбэк 109 баллов
    BSC010N04LSTATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
    734Кешбэк 110 баллов
    IPB60R145CFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2
    734Кешбэк 110 баллов
    IPB65R190CFD7AATMA1MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
    738Кешбэк 110 баллов
    IPT60R150G7XTMA1MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF
    745Кешбэк 111 баллов
    IPB80N04S2H4ATMA2MOSFET N-CHANNEL_30/40V
    745Кешбэк 111 баллов
    IPB019N08NF2SATMA1TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
    756Кешбэк 113 баллов
    IPB80P04P4L04ATMA2MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
    776Кешбэк 116 баллов
    IPB180P04P403ATMA2MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
    792Кешбэк 118 баллов
    SPB17N80C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
    805Кешбэк 120 баллов
    IST007N04NM6AUMA1MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
    805Кешбэк 120 баллов
    IPW60R190E6FKSA1MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
    809Кешбэк 121 балл
    IAUA250N04S6N005AUMA1OPTIMOS POWER MOSFET
    818Кешбэк 122 балла
    IPB60R125CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3-2
    829Кешбэк 124 балла
    IPW65R155CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    836Кешбэк 125 баллов
    BSC670N25NSFDATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
    836Кешбэк 125 баллов
    BSC13DN30NSFDATMA1MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
    861Кешбэк 129 баллов
    IPP039N10N5AKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    863Кешбэк 129 баллов
    IAUA250N04S6N007AUMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    865Кешбэк 129 баллов
    BSC014N06NSATMA1MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
    872Кешбэк 130 баллов
    BSC0402NSATMA1150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
    878Кешбэк 131 балл
    IPW60R160C6FKSA1MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
    878Кешбэк 131 балл
    SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
    883Кешбэк 132 балла
    BSC040N10NS5SCATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
    898Кешбэк 134 балла
    IAUA250N04S6N006AUMA1MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
    901Кешбэк 135 баллов
    IRF60SC241ARMA1MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
    905Кешбэк 135 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП