Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
IFS100B12N3E4B31BOSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IFS100B12N3E4B31BOSA1

IFS100B12N3E4B31BOSA1

IFS100B12N3E4B31BOSA1
;
IFS100B12N3E4B31BOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IFS100B12N3E4B31BOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 200A 515WВсе характеристики

Минимальная цена IFS100B12N3E4B31BOSA1 при покупке от 1 шт 19534.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IFS100B12N3E4B31BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IFS100B12N3E4B31BOSA1

IFS100B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MOD 1200V 200A 515W

  • Основные параметры:
    • Управляемый транзистор: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Рабочее напряжение: 1200В
    • Максимальный ток: 200А
    • Мощность при рабочем токе: 515Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Низкое значение тока течения при отключенном режиме
    • Малые потери при переключении
    • Простота управления и применения
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Сложность в управлении при высоких частотах переключения
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в системах управления двигателей
    • Регулирование напряжения в электросетях
    • Преобразование энергии в промышленных приборах
    • Поддержание стабильного напряжения в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для преобразования переменного напряжения в постоянное
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Энергосберегающие системы освещения
    • Системы управления мощностью в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики IFS100B12N3E4B31BOSA1

  • Package
    Tray
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Full Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200 A
  • Рассеивание мощности
    515 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    6.3 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    IFS100

Техническая документация

 IFS100B12N3E4B31BOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 47 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    19 534 ₽
  • 10
    16 237 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IFS100B12N3E4B31BOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 200A 515WВсе характеристики

Минимальная цена IFS100B12N3E4B31BOSA1 при покупке от 1 шт 19534.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IFS100B12N3E4B31BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IFS100B12N3E4B31BOSA1

IFS100B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MOD 1200V 200A 515W

  • Основные параметры:
    • Управляемый транзистор: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Рабочее напряжение: 1200В
    • Максимальный ток: 200А
    • Мощность при рабочем токе: 515Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе
    • Низкое значение тока течения при отключенном режиме
    • Малые потери при переключении
    • Простота управления и применения
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Сложность в управлении при высоких частотах переключения
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в системах управления двигателей
    • Регулирование напряжения в электросетях
    • Преобразование энергии в промышленных приборах
    • Поддержание стабильного напряжения в системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для преобразования переменного напряжения в постоянное
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Энергосберегающие системы освещения
    • Системы управления мощностью в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики IFS100B12N3E4B31BOSA1

  • Package
    Tray
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Full Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200 A
  • Рассеивание мощности
    515 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    6.3 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    IFS100

Техническая документация

 IFS100B12N3E4B31BOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FF300R12KS4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 370A 1950W
    46 856Кешбэк 7 028 баллов
    FP10R12W1T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 20A 105W
    6 337Кешбэк 950 баллов
    FS200R07N3E4RB11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 200A 600W
    21 824Кешбэк 3 273 балла
    FS100R12N2T4PBPSA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
    15 731Кешбэк 2 359 баллов
    DF100R07W1H5FPB54BPSA2Транзистор: IGBT MOD 650V 40A 20MW
    6 878Кешбэк 1 031 балл
    FS50R12W1T7B11BOMA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY
    7 232Кешбэк 1 084 балла
    FB30R06W1E3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 39A 115W
    6 104Кешбэк 915 баллов
    FS10R06VE3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 16A 50W
    3 714Кешбэк 557 баллов
    FZ1500R33HE3BPSA1Транзистор: IGBT MODULE 3300V 1500A
    338 758Кешбэк 50 813 баллов
    FF300R12KT4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 450A 1600W
    21 412Кешбэк 3 211 баллов
    FZ1200R12HE4PHPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1825A
    137 792Кешбэк 20 668 баллов
    FP50R12KT4GBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 50A 280W
    16 863Кешбэк 2 529 баллов
    FP10R06W1E3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 16A 68W
    5 538Кешбэк 830 баллов
    DF1000R17IE4BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 6250W
    106 566Кешбэк 15 984 балла
    FF400R17KE4HOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 400A
    33 046Кешбэк 4 956 баллов
    FD16001200R17HP4KB2BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 1600A 1050W
    243 307Кешбэк 36 496 баллов
    VS-GT100DA120UFТранзистор: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227
    7 746Кешбэк 1 161 балл
    2ED300C17SROHSBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 30A
    41 203Кешбэк 6 180 баллов
    F3L25R12W1T4B27BOMA1Транзистор: MODULE IGBT 1200V EASY1B-2
    6 219Кешбэк 932 балла
    IFS100B12N3E4B31BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 200A 515W
    19 297Кешбэк 2 894 балла
    FZ800R45KL3B5NOSA2Транзистор: IGBT MOD 4500V 1600A 9000W
    307 829Кешбэк 46 174 балла
    DF160R12W2H3FB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 40A 20MW
    12 663Кешбэк 1 899 баллов
    FS50R06W1E3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 70A 205W
    6 590Кешбэк 988 баллов
    DDB6U134N16RRB11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE
    12 939Кешбэк 1 940 баллов
    FS75R12W2T7B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A
    9 546Кешбэк 1 431 балл
    FF225R12ME4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 320A 1050W
    18 212Кешбэк 2 731 балл
    FP25R12KE3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    13 491Кешбэк 2 023 балла
    FS150R12KT4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 750W
    21 175Кешбэк 3 176 баллов
    FS150R12N2T7B54BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    17 321Кешбэк 2 598 баллов
    FF300R12KT4PHOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 300A
    19 751Кешбэк 2 962 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП