Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IGD10N65T6ARMA1

IGD10N65T6ARMA1

IGD10N65T6ARMA1
;
IGD10N65T6ARMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IGD10N65T6ARMA1 при покупке от 1 шт 536.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGD10N65T6ARMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGD10N65T6ARMA1

IGD10N65T6ARMA1 INFINEON Транзистор:

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 650 В
    • Размер тока (IDS): 10 А
    • Тип: MOSFET (полупроводниковый транзистор с полевым эффектом)
    • Стрелка: N-канальный
    • Технология производства: SiC (силикон кремниевый)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях управления
    • Низкое сопротивление резистора включения
    • Хорошая термическая стабильность
    • Короткое время переключения
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимость использования специального оборудования для монтажа и тестирования
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Переключение высоких напряжений и токов
    • Использование в промышленных и бытовых приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления
    • Промышленном оборудовании
    • Бытовой технике с высокими потребностями в энергоэффективности
    • Системах регулирования напряжения
    • Электроприводах и системах управления ими
Выбрано: Показать

Характеристики IGD10N65T6ARMA1

  • 8932 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    536 ₽
  • 10
    349 ₽
  • 100
    268 ₽
  • 500
    224 ₽
  • 1000
    194 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IGD10N65T6ARMA1 при покупке от 1 шт 536.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGD10N65T6ARMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGD10N65T6ARMA1

IGD10N65T6ARMA1 INFINEON Транзистор:

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 650 В
    • Размер тока (IDS): 10 А
    • Тип: MOSFET (полупроводниковый транзистор с полевым эффектом)
    • Стрелка: N-канальный
    • Технология производства: SiC (силикон кремниевый)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях управления
    • Низкое сопротивление резистора включения
    • Хорошая термическая стабильность
    • Короткое время переключения
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимость использования специального оборудования для монтажа и тестирования
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Переключение высоких напряжений и токов
    • Использование в промышленных и бытовых приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления
    • Промышленном оборудовании
    • Бытовой технике с высокими потребностями в энергоэффективности
    • Системах регулирования напряжения
    • Электроприводах и системах управления ими
Выбрано: Показать

Характеристики IGD10N65T6ARMA1

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории