Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
IGN1011L70
IGN1011L70

IGN1011L70

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Integra Technologies Inc.
  • Артикул:
    IGN1011L70
  • Описание:
    Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BANDВсе характеристики

Минимальная цена IGN1011L70 при покупке от 1 шт 48923.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGN1011L70 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IGN1011L70

  • Тип транзистора
    GaN HEMT
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    22dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    22 mA
  • Мощность передачи
    80W
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Корпус
    PL32A2
  • Исполнение корпуса
    PL32A2
Техническая документация
 IGN1011L70.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    48 923 ₽
  • 15
    41 176 ₽
  • 30
    39 973 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Integra Technologies Inc.
  • Артикул:
    IGN1011L70
  • Описание:
    Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BANDВсе характеристики

Минимальная цена IGN1011L70 при покупке от 1 шт 48923.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGN1011L70 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IGN1011L70

  • Тип транзистора
    GaN HEMT
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    22dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    22 mA
  • Мощность передачи
    80W
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Корпус
    PL32A2
  • Исполнение корпуса
    PL32A2
Техническая документация
 IGN1011L70.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    A2G35S200-01SR3Транзистор: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
    SCH2308-TL-EТранзистор: PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES
    MRF1K50HR5Транзистор: HIGH POWER RF TRANSISTOR
    EC4409C-TL-HNCH 1.8V DRIVE SERIES
    MWT-PH8FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    MCH3412-EBM-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    WP4806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 48V DC ~ 6GHZ, 25W
    FSS173-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    EC4404C-TLNCH 1.5V DRIVE SERIES
    CGH60060D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    CPH6312-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    CGH35240FТранзистор: 240W GAN HEMT 28V 3.1-3.5GHZ FET
    CPH3325-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    2SK3617-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    MCH6406-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    CGH60030D-GP4RF MOSFET HEMT 28V DIE
    CPH6320-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    FSS262-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    BLS9G2731L-400Транзистор: RF FET
    PTFC210202FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-4
    CPH3438-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    CPH3303-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    BLP0427M9S20ZТранзистор: BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP
    AFM906NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN
    2SK852-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    BLL9G1214L-600UТранзистор: BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
    NTD3055AVT4Транзистор: NFET DPAK 60V 0.15R TR
    2SK1847-TB-ENCH 4V DRIVE SERIES
    FW261-TL-EТранзистор: NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
    ART35FEUТранзистор: ART35FE/SOT467/TRAY

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП