IGN1011L70

IGN1011L70 Integra Technologies Inc. Транзистор:

• GAN (Галлийная асэтилена)
• RF POWER TRANSISTOR (СВЧ СИЛЯЩИЙ ТРАНЗИСТОР)
• L-BAND (Л-диапазон)

Основные параметры:

• Тип материала: Галлиевая асэтилена (GAN)
• Тип устройства: СВЧ силащий транзистор
• Диапазон частот: Л-диапазон (1-2 ГГц)
• Максимальная мощность: до 70 Вт
• Эффективность: до 55%
• Предел температур: от -40°C до +85°C

Плюсы:

• Высокая эффективность до 55%, что позволяет эффективно использовать энергию.
• Высокая мощность до 70 Вт, что важно для многих приложений.
• Устойчивость к высоким температурам, что делает его подходящим для широкого диапазона условий эксплуатации.
• Спектральная чистота обеспечивается благодаря использованию галлиевой асэтиленовой технологии.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами.
• Требуется специфическое оборудование для производства и монтажа.

Общее назначение:

• Использование в системах передачи данных и управления.
• Применение в радиолокационных системах и спутниковых коммуникациях.
• Роль в тестировании и измерении сВЧ сигналов.

В каких устройствах применяется:

• Радиолокационные системы.
• Системы связи и передачи данных.
• Спутниковые транспондеры.
• Измерительное оборудование для сВЧ сигналов.