Вход/Регистрация
PTVA123501FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-2
IGN2729M400R2
IGN2729M400R2
- Производитель:Integra Technologies Inc.
- Артикул:IGN2729M400R2
- Описание:Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BANDВсе характеристики
Минимальная цена IGN2729M400R2 при покупке от 1 шт 165672.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGN2729M400R2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 10 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1165 672 ₽
- 10146 226 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Integra Technologies Inc.
- Артикул:IGN2729M400R2
- Описание:Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BANDВсе характеристики
Минимальная цена IGN2729M400R2 при покупке от 1 шт 165672.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGN2729M400R2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание IGN2729M400R2
IGN2729M400R2 Integra Technologies Inc. Транзистор:
- GAN (Гань)
- RF POWER TRANSISTOR (Радиочастотный мощной транзистор)
- S-BAND (S-диапазон)
Основные параметры:
- Диапазон частот: S-диапазон (2,25 ГГц – 3,75 ГГц)
- Мощность выхода: до 400 Вт
- Эффективная относительная полоса пропускания: более 12 дБ
- Тип носителя: AlGaN/GaN
- Температурный диапазон: от -40°C до +85°C
Плюсы:
- Высокая мощность выхода
- Высокая эффективность
- Устойчивость к перегреву
- Прочность материала
- Широкий диапазон рабочих температур
Минусы:
- Высокая стоимость
- Требуются специфические условия эксплуатации
- Сложность в монтаже и обслуживании
Общее назначение:
- Усиление радиочастотных сигналов
- Радарное оборудование
- Станции спутниковой связи
- Системы тестирования радиооборудования
В каких устройствах применяется:
- Радары
- Спутниковые станции
- Радиолокационные системы
- Мобильные радиостанции
- Станции передачи данных
Выбрано: Показать
Характеристики IGN2729M400R2
Техническая документация
IGN2729M400R2.pdf pdf. 0 kb