IGN2729M400R2

IGN2729M400R2 Integra Technologies Inc. Транзистор:

• GAN (Гань)
• RF POWER TRANSISTOR (Радиочастотный мощной транзистор)
• S-BAND (S-диапазон)

Основные параметры:

• Диапазон частот: S-диапазон (2,25 ГГц – 3,75 ГГц)
• Мощность выхода: до 400 Вт
• Эффективная относительная полоса пропускания: более 12 дБ
• Тип носителя: AlGaN/GaN
• Температурный диапазон: от -40°C до +85°C

Плюсы:

• Высокая мощность выхода
• Высокая эффективность
• Устойчивость к перегреву
• Прочность материала
• Широкий диапазон рабочих температур

Минусы:

• Высокая стоимость
• Требуются специфические условия эксплуатации
• Сложность в монтаже и обслуживании

Общее назначение:

• Усиление радиочастотных сигналов
• Радарное оборудование
• Станции спутниковой связи
• Системы тестирования радиооборудования

В каких устройствах применяется:

• Радары
• Спутниковые станции
• Радиолокационные системы
• Мобильные радиостанции
• Станции передачи данных