IHW40N65R5XKSA1

IHW40N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением срабатывания 650 В и током 80 А. Он предназначен для использования в различных приложениях, требующих высокую мощность и надежности.

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания (UD(ON)): 650 В
• Ток (ID): 80 А
• Коллектор-эмиттерное сопротивление (Rce): 0,017 Ω (при Uce = 10 В)
• Тип корпуса: TO247-3

• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Малое тепловыделение
• Устойчивость к перегрузкам
• Низкий ток течения в режиме ожидания
• Простота включения и управления

• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует дополнительного проектирования системы охлаждения
• Необходимо соблюдение правил безопасности при работе с высокими напряжениями

• Общее назначение:
• Использование в промышленных преобразователях частоты
• В системах управления электродвигателями
• В источниках питания для серверных систем
• Для управления мощными нагрузками в автомобильной индустрии

Транзистор IHW40N65R5XKSA1 Infineon Technologies применяется в устройствах, где требуется высокая мощность и надежность, такие как инверторы, преобразователи, источники питания и системы управления электродвигателями.