IKB15N60T

IKB15N60T Infineon Technologies IKB15N60 - дискретный ИГБТ с анодом N-типа

• Основные параметры:
• Рейтингное напряжение U_CEBO = 1700 В
• Рейтингная токовая способность I_TO = 60 А
• Удельная энергетическая плотность U_CEBO/I_TO = 28 ВА
• Скорость перехода τ_tr = 2 мс
• Скорость переключения τ_trr = 4 мс
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Эффективность работы при различных температурных условиях
• Малый размер и легкость
• Низкий уровень шума и электромагнитного излучения
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Необходимость дополнительной проектировки системы охлаждения
• Общее назначение:
• Передача и преобразование электроэнергии
• Импульсные источники питания
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленное оборудование
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы привода
• Интерфейсы питания для ноутбуков и ПК
• Промышленные преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями