Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
IKW30N65WR5XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IKW30N65WR5XKSA1

IKW30N65WR5XKSA1 транзистор IGBT, Trench, 650В, 60А, 185Вт

IKW30N65WR5XKSA1
;
IKW30N65WR5XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKW30N65WR5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IKW30N65WR5XKSA1 при покупке от 1 шт 573.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW30N65WR5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW30N65WR5XKSA1

ИКВ30Н65WR5XКСА1 Infineon Technologies — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 650В и 60А, установленный на подложку TO247-3.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 60А
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность: IGBT сочетает в себе низкие потери при проводимости и высокую скорость переключения.
    • Устойчивость к перегрузкам: способен выдерживать значительные токовые пиковые нагрузки без повреждения.
    • Малые размеры: компактная конструкция обеспечивает высокую плотность упаковки.
  • Минусы:
    • Сложность проектирования: требует дополнительного контура для защиты от обратного напряжения.
    • Тепловые потери: при высоких нагрузках могут возникать значительные тепловые потери.
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электропитании устройств.
    • Контроль мощности в системах управления приводами.
    • Переходные устройства в источниках питания.
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Системы управления приводами для промышленного оборудования.
    • Источники питания для различных устройств.
    • Энергосберегающие системы.
Выбрано: Показать

Характеристики IKW30N65WR5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    90 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    185 W
  • Энергия переключения
    990µJ (on), 330µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    155 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    39ns/367ns
  • Условие испытаний
    400V, 15A, 26Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    95 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IKW30N65

Техническая документация

 IKW30N65WR5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 465 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    573 ₽
  • 10
    310 ₽
  • 100
    250 ₽
  • 480
    205 ₽
  • 1200
    200 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKW30N65WR5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IKW30N65WR5XKSA1 при покупке от 1 шт 573.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW30N65WR5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW30N65WR5XKSA1

ИКВ30Н65WR5XКСА1 Infineon Technologies — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 650В и 60А, установленный на подложку TO247-3.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 60А
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность: IGBT сочетает в себе низкие потери при проводимости и высокую скорость переключения.
    • Устойчивость к перегрузкам: способен выдерживать значительные токовые пиковые нагрузки без повреждения.
    • Малые размеры: компактная конструкция обеспечивает высокую плотность упаковки.
  • Минусы:
    • Сложность проектирования: требует дополнительного контура для защиты от обратного напряжения.
    • Тепловые потери: при высоких нагрузках могут возникать значительные тепловые потери.
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электропитании устройств.
    • Контроль мощности в системах управления приводами.
    • Переходные устройства в источниках питания.
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления двигателем.
    • Системы управления приводами для промышленного оборудования.
    • Источники питания для различных устройств.
    • Энергосберегающие системы.
Выбрано: Показать

Характеристики IKW30N65WR5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    60 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    90 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    185 W
  • Энергия переключения
    990µJ (on), 330µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    155 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    39ns/367ns
  • Условие испытаний
    400V, 15A, 26Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    95 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IKW30N65

Техническая документация

 IKW30N65WR5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKA15N60TXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 600V 14.7A TO220-3
    407Кешбэк 61 балл
    IRGS4630DPBFТранзистор: IGBT 600V 47A 206W D2PAK
    409Кешбэк 61 балл
    IRG4PC30FPBFТранзистор: IGBT 600V 31A 100W TO247AC
    415Кешбэк 62 балла
    IKD15N60RFIKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
    417Кешбэк 62 балла
    IRG4BC30FD1PBFТранзистор: IGBT 600V 31A 100W TO220AB
    420Кешбэк 63 балла
    IKB15N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 30A 130W TO263-3
    438Кешбэк 65 баллов
    IKA08N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 10.8A TO220-3
    438Кешбэк 65 баллов
    IRGP4640PBFТранзистор: IGBT 600V 65A 250W TO247AC
    457Кешбэк 68 баллов
    IKB15N60TIKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
    475Кешбэк 71 балл
    IKA15N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 14A TO220-FP
    475Кешбэк 71 балл
    IKA15N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 14A TO220-3
    475Кешбэк 71 балл
    IKW40N65WR5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
    496Кешбэк 74 балла
    IGP30N60H3IGP30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
    523Кешбэк 78 баллов
    IRGSL4640DPBFТранзистор: DIODE 600V 24A COPAK-262
    533Кешбэк 79 баллов
    SKW20N60HSFKSA1Транзистор: IGBT 600V 36A 178W TO247-3
    548Кешбэк 82 балла
    IGP40N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 74A TO220-3
    550Кешбэк 82 балла
    IGB30N60TIGB30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
    554Кешбэк 83 балла
    IKB20N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 40A 166W TO263-3
    560Кешбэк 84 балла
    IGP40N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 74A TO220-3
    562Кешбэк 84 балла
    IRGSL4062DPBFТранзистор: IGBT 600V 48A 250W TO262
    568Кешбэк 85 баллов
    IKP20N65H5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
    571Кешбэк 85 баллов
    IKW30N65WR5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
    573Кешбэк 85 баллов
    IKA08N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 10.8A TO220-3
    579Кешбэк 86 баллов
    AUIRGSL4062D1Транзистор: IGBT 600V 59A 246W TO-262
    585Кешбэк 87 баллов
    IHW30N65R5XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
    589Кешбэк 88 баллов
    IHW40N65R5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 80A TO247-3
    591Кешбэк 88 баллов
    IHW20N135R5XKSA1Транзистор: IGBT 1350V 40A TO247-3
    606Кешбэк 90 баллов
    IRGP4062D-EPBFТранзистор: IGBT 600V 48A 250W TO247AD
    626Кешбэк 93 балла
    IGW40N65F5FKSA1Транзистор: IGBT 650V 74A TO247-3
    659Кешбэк 98 баллов
    IGW40N65H5FKSA1Транзистор: IGBT 650V 74A TO247-3
    664Кешбэк 99 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП