Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IKW40N120H3FKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IKW40N120H3FKSA1

IKW40N120H3FKSA1

IKW40N120H3FKSA1
;
IKW40N120H3FKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKW40N120H3FKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IKW40N120H3FKSA1 при покупке от 1 шт 1201.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW40N120H3FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW40N120H3FKSA1

ИКВ40Н120H3FКСА1 Infineon Technologies — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 1200В напряжения и 80А тока. Этот транзистор работает при мощности до 483Вт.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 80А
    • Мощность: 483Вт
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в широком диапазоне рабочих условий
    • Низкий уровень трансисторного потерь
    • Долговечность и надежность
    • Простота в управлении благодаря структуре MOSFET
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специального охлаждения при высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Передача и преобразование энергии
    • Управление электрическими нагрузками
    • Применяется в промышленных системах управления
    • Автомобильной электронике
    • Рекуперативных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Инверторы для солнечных панелей
    • Электроприводы
    • Системы хранения энергии
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IKW40N120H3FKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    483 W
  • Энергия переключения
    4.4mJ
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    185 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/290ns
  • Условие испытаний
    600V, 40A, 12Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    355 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-1
  • Base Product Number
    IKW40N120

Техническая документация

 IKW40N120H3FKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 519 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 201 ₽
  • 10
    702 ₽
  • 100
    652 ₽
  • 480
    547 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKW40N120H3FKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IKW40N120H3FKSA1 при покупке от 1 шт 1201.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW40N120H3FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW40N120H3FKSA1

ИКВ40Н120H3FКСА1 Infineon Technologies — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 1200В напряжения и 80А тока. Этот транзистор работает при мощности до 483Вт.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 80А
    • Мощность: 483Вт
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в широком диапазоне рабочих условий
    • Низкий уровень трансисторного потерь
    • Долговечность и надежность
    • Простота в управлении благодаря структуре MOSFET
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специального охлаждения при высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Передача и преобразование энергии
    • Управление электрическими нагрузками
    • Применяется в промышленных системах управления
    • Автомобильной электронике
    • Рекуперативных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Инверторы для солнечных панелей
    • Электроприводы
    • Системы хранения энергии
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IKW40N120H3FKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    483 W
  • Энергия переключения
    4.4mJ
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    185 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    30ns/290ns
  • Условие испытаний
    600V, 40A, 12Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    355 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-1
  • Base Product Number
    IKW40N120

Техническая документация

 IKW40N120H3FKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGS30TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 606Кешбэк 240 баллов
    RGTVX6TS65GC11Транзистор: 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 478Кешбэк 221 балл
    RGW50TS65DGC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    615Кешбэк 92 балла
    RGC80TSX8RGC11Транзистор: IGBT
    1 940Кешбэк 291 балл
    RGTV00TK65DGC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 617Кешбэк 242 балла
    RGW00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 367Кешбэк 205 баллов
    RGW50TS65GC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 030Кешбэк 154 балла
    RGTV60TK65DGVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 136Кешбэк 170 баллов
    RGTH80TK65GC11Транзистор: IGBT
    667Кешбэк 100 баллов
    RGCL80TK60GC11Транзистор: IGBT
    1 130Кешбэк 169 баллов
    RGW80TK65GVC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    673Кешбэк 100 баллов
    RGTH80TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 167Кешбэк 175 баллов
    RGW50TK65DGVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    674Кешбэк 101 балл
    RGW60TK65DGVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 215Кешбэк 182 балла
    RGW60TS65DGC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 060Кешбэк 159 баллов
    RGTH00TK65DGC11Транзистор: IGBT
    786Кешбэк 117 баллов
    RGTH50TK65GC11Транзистор: IGBT
    613Кешбэк 91 балл
    RGW60TK65GVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 123Кешбэк 168 баллов
    RGTH50TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 271Кешбэк 190 баллов
    RGTH40TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 221Кешбэк 183 балла
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    597Кешбэк 89 баллов
    RGS00TS65HRC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    1 152Кешбэк 172 балла
    RGTVX6TS65DGC11Транзистор: IGBT
    1 869Кешбэк 280 баллов
    RGTH60TK65GC11Транзистор: IGBT
    1 089Кешбэк 163 балла
    RGW00TK65DGVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 538Кешбэк 230 баллов
    RGS60TS65DHRC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    1 464Кешбэк 219 баллов
    RGS50TSX2DHRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 716Кешбэк 257 баллов
    RGTH60TK65DGC11Транзистор: IGBT
    689Кешбэк 103 балла
    RGCL80TS60GC11Транзистор: IGBT
    528Кешбэк 79 баллов
    RGSX5TS65EHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    2 184Кешбэк 327 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП